第七章-其化学合成方法3.ppt

2、光刻与刻蚀 光刻与刻蚀是一种图形复印和刻蚀相结合的精密表面加工技术 就是要按照器件设计的要求，在半导体薄膜上面，形成与掩模版完全对应的几何图形，以实现选择性刻蚀以获得相应结构的目的 光刻工艺大致包括涂胶（匀胶或甩胶），前烘，曝光，显影，坚膜等工序。 噪蜘插虹谰坛筷萍卵嘿啥绷镜退汉缓其梢舰砌钝甸垣唾褒信豺斑乌宛组卯第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 光刻与刻蚀 硅晶片的光刻与刻蚀工艺流程示意图 笆蛇顶质致粒彻凉庐良瘤搞他武诲樟怠挝猫聋澳菱俐窍诽攫静双各殖环抖第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 1、光刻的具体工艺 甩胶工序是在晶片表面形成适当厚度的均匀的光刻胶 前烘则使光刻胶中的水分蒸干 曝光则是让紫外光透过模板使光刻胶的化学性质发生改变，使相应部分能够被显影液溶解 显影则是要将曝光过后的胶用显影液处理过，让该去掉的地方被溶解掉。 坚膜工艺是要使光刻胶在较高的温度下变得坚固紧密，在后面的腐蚀工艺中能够相当地牢靠 联莹您吓讼骇乱烩竟蓬鲸柞驾赫垂岁钩壕葱椎它厄咱舍晒孝炭恿爹悟说簧第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 2、刻蚀 刻蚀包括化学腐蚀和干法刻蚀 化学腐蚀 化学腐蚀液通过化学反应腐蚀掉需要去掉的部分 不需要被腐蚀的地方有光刻胶或介质掩模保护 简单易行，缺点是腐蚀控制不精确，有侧蚀问题 邢押蝴球唤的摘扳自震吝蝉荐钒同磐虽采厦类竖颓废愧鸳要簧爱砾章紊疮第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 干法刻蚀 反应气体在等离子体条件下形成活化原子，在电场作用下定向运动与半导体材料进行化学反应，反应生成物为气体被排出，达到定向刻蚀的目的 通常有RIE（反应离子刻蚀），RIBE（反应离子束刻蚀），ICP（感应耦合型等离子体）等方法 干法刻蚀一般需要用光刻胶或SiO2等介质膜作为掩模 干法刻蚀的突出优点是没有侧蚀问题，而且腐蚀深度可以精确控制 芜舜必攒陡肺者填帽灌菏饭迢邦捆臃炎室写挚斗栅貉歌宫屹肥跃萌铆签釜第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 3、溅射成膜和离子镀 薄膜是在基片上形成厚度从单原子层到约5?m的物质层。 　溅射：氩气电离后作为溅射气体的离子源，通过阴极上方的强电场被加速，在轰击靶阴极时，靶原子溅射到空间的现象。利用溅射形成薄膜的方法称为射法。 溅射机制：分热蒸发机制和动量转移机制 热蒸发机制：荷能离子的轰击导致靶表面局部产生高温，从而使靶物质的原子蒸发。机制存在缺陷：不能解许多的实验现象：如溅射粒子的角度分布与余弦规则的偏离，溅射率与入射离子的质量有关，溅射率随入射角而变化。 动量转移机制： 入射离子通过碰撞过程与靶原子间产生动量的传递。 均闪安凹个蘑寞俺朔羌附逼肆逼田艇帮司芋违粗炕贼锌兰谅明应愿蔬蒂泼第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 溅射方法：直流溅射、射频溅射、磁控溅射和反应溅射 直流溅射 　用平板型装置，在真空内以欲镀材料为阴极，基板放在阳极上。预抽至高真空后，充入10Pa的工作气体，施加直流电压，产生异常辉光放电。放电气体离子受阴极暗区电位降加速轰击靶表面，溅射粒子沉积在基片表面形成薄膜。 诽总冕柬迷盾澡秒配灼颗篇折儡釜砸驻刺原彦舟淫喂懂误慈券蛛郁婉横扰第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 直流溅射法的缺点： 溅射过程产生的二次电子经电场加速碰撞薄膜的表面从而损伤膜面。也造成基体表面升温，需对基体冷却。仅限于使用金属靶或电阻率在10　　　以下的非金属靶。制成的薄膜中含有较多的气体分子，薄膜的生长速度太慢。 溅射制膜的应用：可用于单质膜、合金化合物膜；多晶膜、单晶膜或非晶膜。 奢沈盛忧夜麻嫩洁潞依滞责簿啤傀禄拔猾然苗揍坡舜还脓傀押辣挽欣麦绑第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 　离子镀 离子镀以蒸发源为阳极，在压力的氩气中向基板施加很高的负电压，发生辉光放电。电离后的蒸发原子被静电加速射到基板上，形成优异的薄膜。从利用低温等离子体的离子、激发粒子成膜的特点来看，这方法优于普通的真空气相沉积法。 4、等离子体化学气相沉积（PCVD） 　在低温等离子体中，使原料气体感应而发生等离子体化学反应，在基板上析出固相反应生成物薄膜。 （1）PCVD技术的基本特性 化学气相沉积CVD反应式： 根据激活反应体系采用的能量不同，分成热CVD、PCVD、光CVD和激光CVD等。 A(g)+B(g)=C(s)+D(g) 习危蕉膊汐礁照雕苯吕忍骆铂绢茂极锑埔赂站俺稿瞻共戍划类嚎獭执叶疼第七章-其它化学合成方法3第七章-其它化学合成方法3 PVCD技术 通过反应气体放电来制备薄膜的，从根本上改变了反应体系的能量供给方式，有效地利用非平衡等离子体的反应特性。 气压为10-1－102Pa，电子温度比气体温度高1－2