22第六章6.2理想MOS电容器资料.ppt

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices 理想MOS电容器 §6.2 对于一个理想的MOS系统，当外加偏压VG变化时，金属极板上的电荷QM和半导体表面空间电荷QS都要相应发生变化。说明，MOS系统有一定的电容效应，所以把它叫做MOS电容器；但一般说来：QM并不正比于外加偏压VG，需要讨论微分电容。 引言： 令C为MOS系统单位面积的微分电容，即： 微分电容C的数值随外加偏压VG变化，这个变化规律称为MOS系统的电容-电压特性 令: C0：绝缘层单位面积上的电容 CS：半导体表面空间电荷区单位面积的电容 MOS电容的等效电路 CS VG C0 两个电容串联后，总电容变小，且其数值主要由较小的一个电容所决定，因为大部分电压都降落在较小的电容上。 C/C0称为系统的归一化电容 对于理想MOS系统： C0是一个不随外加电压变化的常数，这与通常平行板电容器的结果一样。 半导体的表面电容CS是表面势φS的函数，因而也是外加偏压的函数。显然，如果求出CS随VG变化的规律，就可以得到MOS系统的总电容C随外加偏压变化的规律。 不同区域，电容随电压变化的关系曲线 当MOS电容器的金属电极上加有较大的负偏压时，能带明显向上弯曲，在表面造成多数载流子空穴的大量积累；只要表面势φS稍有变化，就会引起表面空间电荷QS的很大变化；所以，半导体表面电容比较大，可以忽略不计。MOS系统的电容基本上等于绝缘体电容C0。 当负偏压的数值逐渐减小时，空间电荷区积累的空穴数随之减少，且QS随φS的变化逐渐减慢，CS变小，它的作用就不能忽略；将使总电容减小，所以负偏压的数值愈小，Cs愈小，MOS电容器的总电容C就愈小。 1. 积累区（VG0） MOS电容积累区的C-V特性 积累区的C-V特性 归一化电容 2. 平带情况（VG=0） VG=0时，φS=0，能带是平直的，称为平带情况 在平带附近，空间电荷区中： 由空穴的过剩或欠缺引起的电荷密度： 在平带附近，?φ?VT。上式进行指数项展开，且只保留前两项： 则，空间电荷区内的泊松方程为： 式中： 德拜屏蔽长度 通解： x??，φ=0， x=0，φ= φS 德拜屏蔽长度LD标志着为了屏蔽外电场而形成的空间电荷区的厚度 2 (2-1) 0 ? 半导体表面的总电荷为： 空间电荷与表面势符号相反 平带情况下半导体表面的小信号电容(微分电容)： 在杂质饱和电离的情况下： 归一化平带电容： 理想MOS的归一化平带电容随杂质浓度和氧化层厚度的关系 正比厚度 正比掺杂浓度 3. 耗尽区（VG0） 耗尽区： ＋ 随着外加偏压VG的增加，xd将增大，从而电容CS将减小。由CS和C0串联的MOS电容C也将随着外加偏压VG的增加减小。 对于氧化层有： ＋ 耗尽区归一化电容为： 归一化电容随外加偏压的增加而减小 耗尽区归一化电容随外加偏压的变化关系 （归一化电容随外加偏压的增加而减小） 实际证明，出现反型层以后的电容C与测量频率有很大关系，所谓电容C与测量频率有关，就是与交变信号电压的频率有关。 4. 反型区（VG0） 在测量电容C时，在MOS系统上施加有直流偏压VG，然后在VG之上再加小信号的交变电压，使电荷QM变化，从而测量电容C。在不同的直流偏压下测量C ，便得到C-V关系。 测量方法： C-V 特性的频率依赖性 在出现反型层以后，特别是在接近强反型时，表面电荷由两部分组成：一部分是反型层中的电子电荷QI，它是由少子的增加引起的；另一部分是耗尽层下的电离受主电荷QB，它是由多子空穴的丧失引起的： 表面电容CS为： 如果测量电容的信号频率较高，耗尽层中电子-空穴对的产生和复合过程跟不上信号的变化，反型层中的电子电荷QI也就来不及改变。则有： 则高频情况下，反型层中的电容为：