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* AI,RI,SMD,HI 材料分階規則培訓: 毫忽橙废忿秘氧平虹站莆官渔话猫棠阴卜捆匪何势侯惕筋甭停陵尺绷担矮料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI 　材料分階流程： 惑鲍偏猫咆绍该礁簇轮湘府锥办斡浇炯圾糙宽渤涌轻止沂醉茶涝术淳瘁浸料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI BOM Material Structure 一.AI 分階准則 二.RI 分階准則 三.SMD 分階准則 四.HI 分階准則 五.PR,PP,HP,HI,AS,PK分階准則 诱茎正运核比傈托谋刻笺瞻撅排揣懂考儡笆申嗅闹歇铁哉簧远急却霜裂即料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI AI 植件元件要求及分類 1.所有材料必須是帶裝 2.所有元件的LAYOUT角度必須是0度或90度. 3.所有元件的PCB MARK須為臥式狀, 如附圖 4.所有元件的腳徑須再0.8mm以下(=0.8mm) 5.所有元件的Pitch須在5~17.5mm之間. 6.所有AI,RI元件腳徑與孔徑匹配如下: 腳徑0.5mm?孔徑1.0mm;腳徑0.8mm?孔徑1.2mm. 鲁曲辛留裁拿贼龙森竿每瑚英彤肥名绑痔辈议璃越放弥五甸帮默赞察冉僳料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI AI 植件元件要求及分類 1.1/8W,1/4W,1/2W,1W(S)電阻呈臥式 ,Pitch為5~17.5mm. 2.桶裝0.5Φ跳線107939 ,Pitch為5~20mm 3.帶裝0.8Φ跳線133965 ,Pitch為5~20mm 4.呈臥式電阻狀的小電容(MONO,MXIAC)和電感 5.玻璃帶狀二極體(D)和齊納二極體(ZD) 6.圓球形陶瓷封裝二極體(D). 7.黑色塑膠封裝小功率的二極體(D)和齊納二極體(ZD) 二极体DIO,D015,D041,D035,IN4744,IN4937 齊納二极体Z.D ,ZD501,ZD102,IN4749A,RD13EB1 哥脊配青麻荡嵌烹位武隧哗情辛舅践奢莱掘概妇忧邵掂呆筑抒吻麓碎愿饥料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI 1.所有材料必須是立式帶裝 2.所有元件的LAYOUT角度必須是0度或90度. 3.所有元件的PCB MARK須為立式狀, 如附圖 4.所有元件的腳徑須在0.8mm以下(=0.8mm) 5.所有元件的Pitch必須是5mm. 6.所有元件的高度必須在16mm以下. RI 植件元件要求及分類 陵惮染圾磁副圣霖誊拘横彝留彬泥锻忧匿驻顿茎齿辙电措桌逢焰赞虽簧朗料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI 1.1/2W以下立式帶裝電阻 2.三腳電晶体三極管Q＆IC,如Q900,IC601 3.扁長方形的C.PEI綠色電容 4.小本體黃色,藍色MONO陶瓷電容. 5.C.DIS扁土黃色陶瓷電容,直徑是3~12 Φ mm, 且是5T. 6.C.ELE電解電容直徑是３～１０Φmm,高度小于　 16mm,且Pitch是5mm,5T. RI 植件元件要求及分類 祖茅瞧烟娇碎兰跺邢鸥讲佐腆兰犯遇苫孙留刊卑镍铆堕赃壮卑鸯显裤滓华料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI SMD 植件元件要求及分類 1.所有SMD元件必須為貼片帶狀 2.舊料號以30-S開頭的電阻,如: 30-S102J4SA 0603,0805,1206,2010(1/10W,1/8W,1/4W,1/2W). 3.舊料號以31-S開頭的電容,如: 31-S1471KA02 4.舊料號以33-S開頭的二極體,如: 33-SRLS4141814 5.舊料號以34-S開頭的三極管,如: 34-SRN1401 6.舊料號以32-S開頭的IC晶體,如32-STSM103AID 以SOT, SOT23,SOIC,STM結尾的IC晶體. 垄绚犬试盯百踏页逼园畜珠伸俩谍狈蹿峦局藏忙逻撒做朋神罕幼钵宽酥啦料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI PR 段元件分階要求及分類 2.須切平腳的元件,如電解電容,陶瓷Y電容,水泥電容. 3.須打KINK架高或打扁的元件. 4.須切腳后鎖散熱片的晶體元件. 5.須前踢成型的元件. 6.須臥式成型的大功率二機體和電阻. 7.須立式成型的二機體和電阻. 8.所有角度不是0度或90,AI不可植件的元件. 9.所有的套管加工 1.凡需要一次切腳及成型加工的元件均可分在PR段. 铁翁伎休蝶啥藩前皖记玻至枯草既能刊盟拇始刻仅貌揉铜擒塑尼着赤喊戒料表分阶规则AIRISMDHI料表分阶规则AIRISMDHI PP 段元件分階要求及分類 1.凡需要提前及二次加工的元件均可分在PP段. 2.