第四章 半导体激光器及其光藉合技术.pptVIP

第四章 半导体激光器及其光藉合技术 一、原 理： 如图（4-1）示，沿P—N结正向施加偏置电压。从P侧注入空穴，从N侧注入电子。空穴与电子结合释放出的能量变为光子，采用双重异质（DH）构造将光子及截流子有效地封闭在活性层内，GaAs天然解理面作为谐振腔反射面。 图4-1 平均故障时间，（MTBF）：在一批器件中，每个器件的输出值减为原来的一半时所在的平均时间（或者说一个器件的输出功率达到最初的一半时，该器件失效）。 —— 常数 J —— 电流密度 Ea —— 激活能量（典型值为0.46ev） k —— 波尔兹曼常数 T —— 衬底的绝对温度 n —— 常数 （对面发射LED，n=2，对平面发射LED，n=2.3） 预计MTBF：LED为100年~1000年（106~107H） 图4-14 （1）楔型角x为： （2）求入射角i1： 由反射定律： （3）求偏向角β，由图得： 例： 设计光盘整形系统 λ=0.780μ、n（780）=1.51079 半导体激光器型号：LTD24MD，发散角为 ，求楔型棱镜顶角 、 射角 和出射角 * * §4-1 半导体激光器 二、输出光