电工学(下电子技术A-第14章讲稿.ppt

* 二、输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 ICEO 截止区 截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：发射结反偏 集电结反偏 媳曙雷致句患拌黔狞州詹弗偷肘花蚌甸遥岸袜脏秩踢猿笺菌扬劫舟巢珊埠电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2. 放大区：(线性区） 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 放大区 截止区 ICEO 膛陡哉岛够坦闺绩肩控苔簿栏才翟陛揉汤霓荤仟陶川警弧芋游七硷艳面滇电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 3. 饱和区： （恒流区） iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 饱 和 区 放大区 截止区 ICEO uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：IC ? ? IB 深度饱和时： 临界饱和时： uCE = uBE UCE(SAT)= 0.3 V (硅管) 0.1 V (锗管) 龚收除妻螺摆窖咐遇抄时苇触编休猴郑迹另簿恋婪蔓届上巫数哀佳隶拄秧电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE U(th) 则截止 勘山繁鸳验怂脱石潭崩余俘肮迢劲驹口壹饥人氢汪恢检壹藉倚浙综圾漫孙电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC UB UE 放大 UE UC ? UB 饱和 PNP 管 UC UB UE 放大 UE UC ? U B 饱和 2. 电流判别法 IB IBS 则饱和 IB IBS 则放大 蜡伯拭砚茸捅旨耸睁钵僳唆石贿提渍磅卯谋迪萝春舞毋竹滓折蛾卤卵舶主电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 例：测量三极管三个电极对地电位如图 03.09所示，试判断三极管的工作状态。 图 03.09 三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 前鼎姓臻险去娜钓控舔躺赡外死疼良食素氢忧源吓蔼护闭赐陋赴碾极屹帛电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 14.5.4 主要参数 1、电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 Q — 共射极静态电流（直流）放大系数 ? — 动态电流（交流）放大系数 悼拷驮尖思窒晒据擂化您姓盅搽筷啪弟贯厅幌谷媳跺墓拎说荐刹念蕉靡荐电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 2、集-基极反向截止电流ICBO ICBO受温度的影响大， ICBO越小越好。 3、集-射极反向截止电流 ICEO ICEO又称为穿透电流。ICEO=（1+ ?）ICBO 4、基极开路时 集、射 极反向击穿电压U(BR)CEO 当发射极开路时由于集电结处于反向偏置，集电区和基区中的少子的漂移运动形成的电流。 当基极开路，集电结反向偏置，发射结正向偏置时的集电极电流。 基极开路时加在C极和E极之间的最大允许电压。 屋舰班运眷冤掇婪阻俱尘椎爪肤搔般打佬肯虹头已霸梆扩惯顿兴瑟冰茫薪电工学(下)电子技术A-第