CVD 工艺.ppt

§1 定义及反应方程式 化学气相淀积定义： 指使一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为 “Chemical Vapour Deposition”，简称为 “CVD”。 （1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点或软点。因此减轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了缺陷生成; 设备简单，重复性好；（2）薄膜的成分精确可控、配比范围大；（3）淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如蒸发、溅射等）；厚度范围广，由几百埃至数毫米。且能大量生产；（4）淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好。 §2 化学淀积方法及设备简介 1.常压化学气相淀积 特点:用于SiO2的淀积 PWS－5000： SiH4+O2=Si O2 +H2 O ?100mm：10片，?125mm:8片 Time:15min Temp:380~450℃?6℃ 厚度均匀： ?5％ 2.低压化学气相淀积 应用情况 多晶硅：SiH4/Ar(He) 620℃ Si3N4: SiH2Cl2 +NH3 750~800℃ PSG: SiH4 +PH3 +O2 450℃ BSG: B2H6 +O2 450℃ SiO2: SiH2Cl2 +NO2 910℃ 3.等离子体化学气相淀积 叙述其他策略 列出每项的优势和劣势 叙述每项所需的消耗 等离子体化学气相淀积PCVD 或PECVD：Plasma-enhanced CVD 特点：温度低 200~350℃，适用于布线隔离 Si3N4: SiH2Cl2 +NH3 PSG: SiH4 +PH3 +O2 §3 典型物质淀积简介 非掺杂SiO2:用于离子注入或扩散的掩蔽膜，多层金属化层之间的绝缘，增加场区氧化层之间的厚度 掺杂SiO2:用于器件钝化，磷硅玻璃回流，掺杂扩散源,与非掺杂SiO2结合作为多层金属化层之间的绝缘层。 1.SiO2的用途 2.淀积SiO2的方法: A.低温气相化学淀积(LPCVD) ： 500℃ 1).硅烷和氧反应:（钝化层SiO2） SiH4+O2 SiO2 +2HCl 4PH3+5O2 2P2O5 +6H2 温度、压力、反应剂浓度、掺杂及反应腔形状都影响淀积速度 B.生长磷硅玻璃PSG 加入磷烷PH3，生长磷硅玻璃PSG 加入乙硼烷B2H6，生长硼硅玻璃BSG 掺杂P含量：5～15％（或三氯氧磷） 回流P含量：2～8％钝化膜 磷含量过高：腐蚀铝，吸附水汽 磷含量过低：太硬，台阶覆盖不好， C.正硅酸乙脂（TEOS）分解4 Si(OC2H5)4 SiO2 +副产品 3. SiO2薄膜性质 二.多晶硅薄膜 1.多晶硅淀积动力学 A.反应方程式 SiH4 Si+2H2 由N2或Ar携带SiH4 20％＋ N2 80％ B.淀积参量：压力、温度、硅烷浓度、杂质浓度 温度：600℃～650℃ ，625℃ 压力 硅烷浓度 2.多晶硅形貌和结构与淀积条件的关系 在固体表面上淀积薄膜的过程可以分为成核和成长两个阶段:1)欲淀积材料的原子或分子形成原子团，2)然后这些原子团不断吸收新加入的原子而逐渐张大成核，它们再进一步相互结合形成连续的薄膜。 比值J/D:当气相射入到衬底表面上的硅原子流J和硅原子在衬底表面上的扩散系数D的比值，J/D，小时，在硅单晶衬底上的淀积物将具有长程有序，得到单晶薄膜；反之，当J/D比值大时，则淀积膜将短程有序，从多晶硅向无定形硅转化。 生长方法 A.常压CVD： I)区：单晶；ii)区多晶；无定形硅。 B.低压CVD： 550℃生长， 再经过900℃退火处理 600℃～650℃生长的多晶硅，以（100）为优选晶向。 3.掺杂对多晶薄膜的影响 淀积后的离子注入掺杂或扩散掺杂对多晶硅高掺杂 A、淀积过程中气相掺杂对多晶硅淀积率的影响： 原理：当处于表面反应速率控制区时，多晶硅薄膜淀积的化学反应主要是吸附和分解： SiH4(g)?SiH2(g)+H2(g) (式二)吸附 SiH2(g)+Si(s)?2(Si(s)－H*) (式三)分解 2(Si－H*)?2Si(s)+H2(g) (式四)淀积 (式三)表示吸附，(式四)表示分解。其中g,s分别表示气态和固态。在充分吸附的情况下，(式二)和(式三)处于平衡状态下，而(式四)即(Si－H*)的热分解过程将决定淀积率。当衬底温度一定时，即分解率一定时，淀积率将直接与吸附反应剂分子的多少有关. 三簇元素，如硼，掺杂使将增加空穴，它的表面吸附有助