2015电路补充章B.ppt

* * * * * * 详解：输出特性 恒流区 | uGS | ? | UGS(off) | 且 | uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区 | uGS | ? | UGS(off) | 且 | uDG | | UGS(off) | uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区 | uGS | | UGS(off) | iD = 0 * 5.5.2　绝缘栅场效应管 （选讲） 绝缘栅场效应管记为MOSFET，根据结构上是否存在原始导电沟道，MOSFET又分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。 * IGFET（ MOSFET ） 增强型(Enhancement-mode) N沟道（导电通道） N-channel 耗尽型(Depletion-mode) * 一、工作原理 UGS = 0 ID ＝ 0 UGS UGS(th) 电场 反型层 导电沟道 ID 0 UGS控制ID的大小 N沟道增强型MOSFET * 工作原理 Threshold voltage （开启电压) 反型层(Inversion layer) VGS控制沟道宽窄 (1)开启沟道 0V + 宽 窄 VGS=VT 增强型MOS管 * (2)沟道变形 预夹断 pinch-off 楔形沟道 0 + 电位梯度 UDS控制 沟道形状 * 二、特性曲线 预夹断 ?n为导电沟道中自由电子运动的迁移率； Cox为单位面积的栅极电容； W 和 L分别为导电沟道的宽度和长度。 N沟道增强型MOSFET * 在UGS = 0时就存在ID = ID0。UGS的增大将增大ID。 当UGS 0时，且| UGS | 足够大时，导电沟道消失，ID = 0，此时的UGS为夹断电压UGS(off) 。 N沟道耗尽型MOSFET 增大UDS则会引起预夹断。 * N沟道耗尽型MOSFET UDS 0；UGS 正、负、零均可。 * 5.5.3　各种场效应管的比较 电路符号 特性曲线 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应管(单极型三极管) 结构 NPN型 结型 N沟道 、P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 、P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 、P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 流控电流源CCCS(β) 压控电流源VCCS(gm) * 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 * 场效应管和晶体管的主要区别： 　　晶体管处于放大状态或饱和状态时，存在一定的基极电流，输入电阻较小。场效应管中，JFET的输入端PN结反偏，MOSFET则用SiO2绝缘体隔离了栅极和导电沟道，所以场效应管的栅极电流很小，输入电阻极大。 　　晶体管中自由电子和空穴同时参与导电，主要导电依靠基区中非平衡少子的扩散运动，所以导电能力容易受外界因素如温度的影响。场效应管只依靠自由电子和空穴之一在导电沟道中作漂移运动实现导电，导电能力不易受环境的干扰。 　　场效应管的源极和漏极结构对称，可以互换使用。晶体管虽然发射区和集电区是同型的杂质半导体，但由于制作工艺不同，二者不能互换使用。 * 5.6 运算放大器的电路模型 一、运算放大器的基本知识 A － ＋ 双端输入： 单端输入： o为输出端 a b o －