1.2MOS集成电路的基本制造工艺分析.ppt

在硅衬底上制作MOS晶体管 自对准工艺 在有源区上覆盖一层薄氧化层 淀积多晶硅，用多晶硅栅极版图刻蚀多晶硅 以多晶硅栅极图形为掩膜板，刻蚀氧化膜 离子注入 完整的简单MOS晶体管结构 有源区 Example: Intel 0.25 micron Process Interconnect Impact on Chip 深亚微米CMOS晶体管结构 BiCMOS工艺分类 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 双阱标准CMOS工艺 P+ p-epi p well n well p+ n+ gate oxide Al (Cu) tungsten SiO2 SiO2 TiSi2 field oxide 增加器件密度 防止寄生晶体管效应（闩锁效应） p-epi P阱 n+ STI TiSi2 STI STI STI STI N阱 n- n+ n- p+ p- p+ p- 源/漏扩展区 浅槽隔离 侧墙 多晶硅硅化物 功耗 驱动能力 CMOS 双极型 Bi-CMOS BiCMOS集成电路工艺 NPN晶体管电流增益小； 集电极的串联电阻很大; NPN管C极只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用 silicon substrate source drai