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一、填空（每题2分，共20分） 1．传感器是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置，传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件 和产生可用信号输出的转换元件以及相应的信号调节转换电路组成。 2．传感器由 敏感 元件、 转换 元件和 信号调节与转换 电路组成 3．通常用传感器的 动态特性 和 静态特性 来描述其输出—输入特性 4．测量系统的静态特性指标主要有线性度、迟滞、重复性、分辨力、稳定性、温度稳定性、各种抗干扰稳定性等。 5．线性度和灵敏度是传感器的静态指标，而频率响应特性是传感器的动态指标。 6．传感器静态特性的性能指标包括 灵敏度 、 线性度 、 迟滞(滞环) 、 重复性 、漂 移。 () 7．传感器的灵敏度是指稳态标准条件下， 与 相应的输入量增量 之比。 8．传感器的动态响应特性包括 瞬态（阶跃）响应 特性和 频率（正弦信号）响应 特性 9．电阻应变片的工作原理是基于 应变效应 ， 外界力的作用 下产生 机械变形 时， 电阻值 发生相应变化， 应变效应 。 10．电阻应变片产生温度误差的主要因素是 电阻温度系数 的影响和 试件材料和电阻丝材料的线膨胀系数 的影响。 电阻 元件， 直流 电源 12．电感式传感器主要有 变磁阻（自感）式 、 变压器（互感）式 、涡流式三种类型 13．变磁阻式传感器由 线圈 、 铁芯 、 衔铁 三部分组成 14．螺线管式差动变压器由一个 初级线圈 、两个 次级线圈 和插入线圈中央的圆柱形铁芯 等组成 15．使用电涡流传感器测量时， 大 ， ， ， 贯穿深度 越大。 18．根据工作原理电容式传感器分为 变极距（变间隙）式 、 变面积式 、变介电常数式 三种类型 19．改善单极式变极距型电容传感器的非线性的方法是采用 运算放大器式 电路。 21．光沿石英晶体的光轴传播， 双折射现象 ， 压电效应 22．石英晶体中经过六面体棱线并垂直于光轴的X方向称为 电轴 ，X方向的力作用下产生电荷的效应， 纵向压电 效应，X轴和光轴同时垂直的Y方向称为 机械轴沿Y轴方向的力作用下产生电荷的效应， 23．压电式传感器不能用于 静态 测量， 动态 测量 24．压电陶瓷经 极化处理后 才具有压电特性 25．某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象，同时在它的表面产生符号相反的电荷，当外力去掉后又恢复不带电的状态，这种现象称为极化效应；在介质极化方向施加电场时电介质会产生形变，这种效应又称电致伸缩效应。 26．半导体材料的压阻效应是半导体材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象称为压阻效应。 27．材料的霍尔常数等于其 电阻率 与 电子迁移率 乘积。 2， 电阻率很小 所以霍尔常数小。， 电子迁移率极低 所以霍尔常数小 29．影响霍尔元件输出零点的因素是 不等位电势（电阻） 和 寄生直流电势 30．霍尔元件存在不等位电势和不等位电阻的原因是 霍尔电极位置不对称（不在同一等位上面）、 半导体材料不均匀 、 激励电极接触不良 31． 霍尔元件存在直流寄生电势的原因是 激励电级与霍尔电极接触不良 、两个霍尔电极大小不对称 32．霍尔元件并联的特点是（1） 霍尔电流大 （2） 受磁阻效应影响小 霍尔元件串联的特点是（1） 霍尔电流小 （2） 受磁阻效应影响大 33．制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现电势差最大。 34．光电效应分为(1) 外光电 效应，相对应的光电器件是 光电管 、 光电倍增管 (2) 内光电 效应， 、 光敏二极管 、 光敏晶体管 、 光电池 35．光电效应通常分为三类。第一类是利用在光线作用下光电子逸出物体表面的外光电效应，这类元件有光电管、光电倍增；第二类是利用在光线作用下使材料内部电阻率改变的内光电效应，这类元件有光敏电阻；第三类是利用在光线作用下使物体内部产生一定方向电动势的光生伏特效应，这类元件有光电池、光电仪表。 36．光电耦合器件分为(1) 光电耦合器 用于 实现电隔离 (2) 光电开关 用于 检测有无物体 37．CCD的中文名称是 电荷耦合器件 ，其基本单元是 MOS电容器 ， 光敏元（像素），CCD的电信号是 电荷 38．CCD的信号电荷产生有 光信号注入 和 电信号注入 两种方法 39．光纤的数值孔径是表征 光钎集光本领 的重要参数 40．光纤的传输损耗主要来源于