模拟电子技术基础03二极管及其基本电路.pptVIP

半导体的特性简介 通过掺入杂质可明显地改变半导体的电导率 (1) PN结加正向电压时 (2) PN结加反向电压时 (1) 最大整流电流IF 是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2AP1最大整流电流为16mA。 (2) 反向击穿电压VBR 指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例如2AP1最高反向工作电压规定为20V，而反向击穿电压实际上大于40V。 (3) 反向电流IR 指管子未击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会明显增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。 (4) 极间电容Cd（CB、 CD ） (5) 反向恢复时间TRR 由于二极管中PN结电容效应的存在，当二极管外加电压极性翻转时，其正、反向电流不能在瞬间完全按照单向导电性变化。特别时外加电压从正向偏置变成反向偏置时，二极管中电流由正向变成反向，但其翻转后瞬间有较大的反向电流，经过一定时间后反向电流才会变得很小。二极管由正向导通到反向截止时电流的变化图3.3.5所示。其中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，TRR为反向恢复时间。 (5) 反向恢复时间TRR 存在反向恢复时间的主要原因是扩散电容的CD影响。 扩散电容越小，反向恢复时间越短，工作频率越高。 二极管由反向截止到正向导通则不存在积累载流子的消散过程。 美国半导体器件的型号命名方法 表3.5.1 几种典型的稳压管的主要参数 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件 3.5.1 齐纳二极管 一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管 又称稳压管 这种管子的杂质浓度比较大，空间电荷区内的电荷密度也大，因而该区域很窄，容易形成强电场。 当反向电压加到某一定值时，反向电流急增，产生反向击穿 反向击穿电压，即稳压管的稳定电压，它是在特定的测试电流IZT下得到的电压值。 稳压管的稳压作用在于，电流增量?IZ很大，只引起很小的电压变化?VZ。 3.5.1 齐纳二极管 1. 符号及稳压特性利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 3.5.1 齐纳二极管 曲线愈陡，动态电阻rZ = ?VZ/?IZ愈小，稳压管的稳压性能愈好。 I Z(min)和I Z(max)为稳压管工作在正常稳压状态的最小和最大工作电流。 反向电流小于I Z(min)时，稳压管进入反向截止状态，稳压特性消失； 反向电流大于I Z(max)时，稳压管可能被烧毁。 由于稳压管正常工作时，都处于反向击穿状态，所以稳压管的电压、电流参考方向与普通二极管标法不同，VZ的假定正向位于阴极。 (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 2. 稳压二极管主要参数 3.5.1 齐纳二极管 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ 3.5.1 齐纳二极管 ≥– 8 8 ? 0.05 ＜70 ≤10 0.25 1 0.20 55 100 30 10 5 10 3.2~4.5 8.5~9.5 6.0~6.5 2CW52 2CW107 2DW232 温度系数CTV（10-4/℃） 动态电阻rZ/Ω 耗散功率PM/W 最大稳定电流IZM/mA 稳定电流IZ/mA 稳定电压VZ/V 型 号 * 2DW232为具有温度补偿的稳压管。 例2.5.1 稳压电路如图3.5.2所示。设R=500?,VI =10V，RL=1k?，稳压管的VZ = 6.8V，IZT = 5mA，r Z = 20?，IZ(min)=0.2mA。试分析当VI出现?1V的变化时，VO的变化是多少？ 两个回路一个节点，列方程，解出Iz 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.3.1 二极管的结构在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 (2) 面接触型二极管PN