南航考研模拟电子线路模电第一章02.pptVIP

1.2.4 半导体二极管及其参数 1.半导体二极管的结构 半导体二极管：由PN结加上两根电极引线并封装在管壳中可构成。 点接触型二极管：特点是PN结面积小，不能承受高的反向电压和大的正向电流，但其结电容小，工作频率可达100MHz以上。因此适用于高频检波和小功率整流。面接触型二极管：特点是PN结面积较大，因而结电容大，工作频率低。适用于大电流、低频率的场合，常用于低频整流电路中。 2.半导体二极管的伏安特性实测二极管2CP10(硅管)、2AP10(锗管)的伏安持性曲线： 3.半导体二极管的主要参数 （1）直流电阻：二极管两端所加直流电压与流过它的直流电流之比：在正向工作区域， 随工作电压增大而减小。在反向工作区域， 随反向电压增大而增大。 （2）交流电阻：二极管在其工作点处的电压微变量与电流微变量之比：二极管伏安特性曲线上点处切线斜率的倒数。又称为二极管的增量结电阻，或肖特基电阻。 （3）最大整流电流二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。其大小由PN结的结面积和外界散热条件决定。 （4）最大反向工作电压二极管安全工作时所能承受的最大反向电压。手册上一般取击穿电压 的一半作为 。 （5）反向电流二极管未击穿时的反向电流。 值越小，二极管单向导电性越好。 的值随温度变化而改变，使用时要加以注意。 （6）最高工作频率由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过时，单向导电性变差。 1.2.5 二极管的电路模型 1.理想模型2.定压降模型3.分段线性模型 4.二极管的数学模型 理想PN结的数学模型： 为了反映二极管的实际伏安特性： 式中 代表半导体体电阻和引线接触电阻；n为非理想化因子，其值与I有关，I为正常值时，，I过大或过小时，。 5.SPICE软件中二极管的模型1.3 特殊二极管1.3.1 稳压二极管1.3.2 变容二极管1.3.3 发光二极管 1.3.1 稳压二极管 动态电阻：在击穿区域， 和 之比，用 表示。越小，电流变化时电压的变化愈小，即稳压特性越好。 稳压电路的稳压原理如下：当 升高时， （即 ）增大， 增大导致 剧增， 剧增使R上压降 增大，因为，从而抵消了 增大导致 增大的趋势，使 稳定。R的选择应满足使稳压管工作在稳压区，下面讨论R的选择方法。当时， 应满足：即当时， 应满足： 即限流电阻R的选择范围为：1.3.2 变容二极管二极管结电容随外加电压而变化，反向电压越大，结电容越小。 1.3.3 发光二极管发光二极管也具有单向导电性，只有当外加正向电压使得正向电流足够大时，发光二极管才发出光来。发光二极管通常用作显示器件，工作电流一般在几mA至几十mA之间。1.3.4 光电二极管光电二极管在无光照时，与普通二极管一样，具有单向导电性。在有光照时，特性曲线下移，位于第三、四象限内。在第三象限内，照度越大，光电流就越大，两者成线性关系，特性曲线是一组近似与横轴平行的直线。在第四象限内，呈光电池特性。1.4 半导体三极管 1.4.1 三极管的结构 1.4.2 三极管的工作原理 1.4.3　 三极管的特性曲线 1.4.4 三极管的主要参数 1.4.5 三极管的小信号模型 1.4.6 三极管其它工作模式的等效电路 1.4.1 三极管的结构三极管又称为双极型晶体管，有多种分类方法:按结构：NPN型和PNP型；按功率大小：大、中、小功率管;按所用半导体材料：硅管和锗管;按照频率：高频管和低频管。 发射极E、基极B和集电极C：两块N型半导体中间夹一块P型半导体,三块半导体的电极引线。发射区、基区和集电区：这三块半导体。 相应半导体交界处形成了两个PN结： 发射结：发射区和基区交界处的PN结。 集电结：集电区和基区交界处的PN结。PNP三极管与NPN三极管不同在于结构上中间是N型半导体，两边是P型半导体。 1.4.2 三极管的工作原理 1.共基极接法时三极管内部载流子的传输过程三极管有三个电极：一个电极作为信号输入端，另一个电极作为信号输出端，剩下的电极是输入、输出回路的公共端。根据公共端的不同，三极管电路有共基极、共发射极和共集电极三种组态。要使三极管有放大作用，三极管的发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 (1) 发射区向基区注入电子发射结在正向偏置时，发射区中的多子(自由电子)通过发射结注入到基区，形成电子电流 ；基区中的多子(空穴)通过发射结注入到发射区，形成空穴电流 。因发射结为不对称结，发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度，所以 远远大于 。 (2)电子在基区中扩散与复合发射区中的电子(多子)注入到基区后，便从发射结一侧向集