§4-5磁介质的磁化规律和机理铁电体..ppt

* * 电介质里， ， ，对大多数电介质， 和 与场强无关， 的数量级一般不太大(通常在10以内) ， 且与 无关 ， 且与 无关 §4-5 磁介质的磁化规律和机理 铁电体 5.1 磁介质的分类 电介质与磁介质的比较 磁介质，对于不同类型的磁介质情况很不一样 顺磁质—— 抗磁质—— 铁磁质—— 与 不成比例，甚至没有单值关系 5.2顺磁质和抗磁质 分子磁矩的由来 在原子或分子内，一般不止有一个电子 分子磁矩：所有电子的轨道磁矩和自旋磁矩的矢量和 电子轨道磁矩 电子自旋磁矩 若分子中所有电子磁矩（分子固有磁矩）为零，抗磁质 若分子中所有电子磁矩（分子固有磁矩）不为零，顺磁质 顺磁质的磁化规律 顺磁效应：顺磁物质中，分子具有固有磁矩，在外磁场作用下，分子磁矩在一定程度上沿外场排列起来。温度越高，顺磁效应越弱。 外磁场对电子轨道运动的影响 外磁场作用在一个抗磁原子上，考虑电子的轨 道运动(先假设电子角速度平行于外磁场) 求无外磁场时的角速度ω0(电子只受库仑力） 加不太大的外磁场B 电子受库仑力、洛伦兹力（指向中心），假设轨道的半径不变（相当于定态假设），且此时洛伦兹力远小于库仑力（见P257解释） 抗磁质的磁化规律 洛仑兹力远小于库仑力，略去高阶小量 考虑电子角速度反平行于外磁场，有同样结论，Δω的方向总是与外磁场B同向 电子角速度改变将引起电子磁矩改变 总是与外磁场方向相反 ω 0与B成任何角度时： Δω的方向总是与外磁场B相同，从而产生的附加磁矩Δm总是与B的方向相反。 抗磁性物质的分子无固有磁矩（每个电子的磁矩m0方向不同，抵消了），但加了外磁场后，每个电子的感生磁矩Δm 都与外磁场方向相反，从而整个分子内将产生与外磁场方向相反的感生磁矩。这便是抗磁效应的来源。 注：抗磁效应在顺磁介质中也存在，但其顺磁效应比抗磁效应强得多，掩盖了抗磁效应。 5.3 铁磁质的磁化规律 铁磁质 以铁为代表的一类磁性很强的物质 研究铁磁质的磁化规律的实验方法 把铁磁质试样做成闭合环状。上面均匀地绕满导线，在这样一个螺绕环中的磁场强度H是和磁化场的磁场强度H0一样的，根据 当知道罗绕环的匝数及电流I0，就可以得到H。 利用一个次级线圈可以测量磁感应强度B。 （1）起始磁化曲线 M-H曲线 磁化场H0=0 (即H=0)的时候处于 未磁化状态(M=0)，在逐渐增加磁 化场H0的过程中，磁化强度M随之 增加 开始M增加得较缓慢（M-H曲线的OA段），然后经历一段急剧增加的过程（AB段），又缓慢下来（BC段）。再继续增大磁化场时，几乎不再变了， Ms为饱和磁化强度。从未磁化到饱和的这段磁化曲线OS，叫做铁磁质的起始磁化曲线 M-H曲线上任何一点联到原点O的直线的斜率代表该磁化状态下的磁化率 B-H曲线 在铁磁质中，M的数值比 H大得多（102-106）倍 B-H曲线的外貌与M-H曲线差不多 B-H曲线上任何一点联到原点O的直线的斜率代表该磁化状态下的磁导率 当H的数值由0开始增加时，χm与μ的数值分别由某一数值(χm)起始与μ起始开始增加。 然后接近某一最大值(χm)最大与μ最大=1+(χm)最大 当H再增加时，由于磁化接近饱和，χm与μ的 数值都急剧减少 饱和磁化强度MS、起始（相对）磁导率μ起始、 最大（相对）磁导率μ最大是标志软磁材料性能好坏的基本量。 μ-H曲线 （2）磁滞回线 MR：剩余磁化强度 BR: 剩余磁感应强度 HC：矫顽力 在上述变化过程中，M和B的变化总是落后于H的变化，这一现象称为磁滞现象;上述曲线叫磁滞回线。 RC：退磁曲线 5.4 磁滞损耗 当铁磁质在交变磁场作用下，反复磁化，由于磁滞效应，磁体要发热而散失热量，这种能量损失称为磁滞损耗。 可以证明：B－H图中磁滞回线所包围的“面积”代表在一个反复磁化的循环过程中单位体积的铁芯内损耗的能量（下一页证明之） 磁滞回线越胖，曲线下面积越大，损耗越大 磁滞回线越瘦，曲线下面积越小，损耗越小 证明 以有闭合铁芯的螺绕环为例 设t时刻介质处于某一磁化状态P，此处H0，B0 dt内， P—P’ ，铁芯中磁通改变量为dΨ 电源抵抗感应电动势做功 5.5铁磁质的分类 软磁材料 HC小，磁滞回线 瘦，磁滞损耗小 通电后立即磁化获得强磁场，断电立即退磁（继电器） 硬磁材料 HC大， HC：104～106A/m； 磁滞回线胖，磁滞损耗大 撤去外场后，仍能保持强磁性。 （永磁体：扬声器、耳机、录音机等） 按矫顽力大小分类 * * *