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Array基板Process flow LSPolyNCDP+GEILDSDPLITO 1M3PVFrom：LTPS training8thITO 2AFFS LTPS 12PEPPEP1 （LS）a-SiPMOS NMOSPad沉膜前清洗，去除Particle LS (遮光层)：材料可为a-Si，metal等吸遮光材料。防止Poly受到强光照射产生光生载流子，导致器件漏电流增大。LS作用：遮蔽背光，减少其对半导体电性的影响。LTPS 采取Top Gate设计（顶栅结构，TN产品为Bottom Gate，顶栅结构）LTPS受背光源影响，会产生光电漏电，影响Device性能PEP2(poly)PolyPolySiO2SiNxa-SiPMOS NMOSPad3Layer的作用：缓冲层，防止玻璃基板中的杂质在热制程中扩散到LTPS中，降低漏电流。 （SiNx隔绝离子的能力较强与玻璃接触的应力较小，SiOx与多晶硅界面润湿角比较好，故采用SiNx/SiOx的堆叠方式). ELA：Excimer Laser Annealing 即准分子激光退火，指通过准分子激光对a-Si进行照射，实现a-Si薄膜向多晶硅薄膜（Poly-Si）的转变PEP3(NCD)NCD:N Channel doping，调整TFT Vth阈值电压。所用气体为BF3. Ash目的: 由于implant导