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PN结二极管制备工艺 半导体二极管的伏安特性 工艺流程图 （0）准备 准备： 1、制备单晶硅片（平整、无缺陷） 涉及到知识：单晶晶生长、晶圆切、磨、抛。 （ 在形成单晶的过程中已经进行了均匀的硼掺杂） 2、硅片表面的化学清洗 涉及到知识：去除硅片表面杂质的方法及化学原理 （有机物、吸附的金属离子和金属原子的化学清洗） 晶体生长，晶圆切、磨、抛 (2) 涂胶 （3）曝光 （4）显影 （6）去胶 （7）杂质扩散 (8)驱入 (10)涂胶 (11)曝光mask2板 (12)显影 (13)腐蚀 （14）去胶 * 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 本征半导体（Intrinsic Semiconductor) 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 杂质半导体 N型半导体： 杂质元素：磷，砷 正离子 + + + + + + + + + + + + + + + 多数载流子 少数载流子 在本征Si和Ge中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体。 多子：自由电子 少子：空穴 - - - - - - - - - - - - - - - P型半导体： 杂质元素：硼，铟 负离子 多数载流子 少数载流子 在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。 多子：空穴 少子：自由电子 杂质半导体 说明 杂质半导体呈电中性，任一空间的正负电荷数相等 N型半导体：电子+正离子 ???? P型半导体：空穴+负离子 多子主要由掺杂形成,少子本征激发形成 ★PN结： PN结的形成 + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - 载流子的扩散运动 建立内电场 内电场对载流子的作用 扩散运动和 漂移运动达到 动态平衡， 交界面形成稳定的 空间电荷区，即 ＰＮ结 P区 N区 一、PN结正向偏置 在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。 PN结外加正向电压（P区接电源的正极，N区接电源的负极，或P区的电位高于N区电位），称为正向偏置，简称正偏。 PN结的单向导电性 二、PN结反向偏置 在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。 因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。 当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为 反向饱和电流 。 PN结外加反向电压（P区接电源的负极，N区接电源的正极，或P区的电位低于N区电位），称为反向偏置，简称反偏。 PN结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，正向电流很大； PN结反偏时呈截止状态，反向电阻很大，反向电流很小。 —— PN结的单向导电性 在一个PN结的两端，各引一根电极引线，并用外壳封装起来就构成了半导体二极管，（或称晶体二极管，简称二极管。 由P区引出的电极称为阳极（正极） 由N区引出的电极称为阴极（负极） 半导体二极管的结构和类型 UF IF 0 UR IR 0 反 向 电 击 穿 区 (1) 正向特性 (2) 反向特性 晶片准备 平面工艺 封装测试 p-Si p-Si SiO2 (1) 氧化 问题： 1、二氧化硅薄膜作用及制备的方法有哪些？ 涉及到知识：薄膜生长 2、此处的二氧化硅薄膜的作用是？ 涉及到知识：薄膜生长