歐傑電子能譜儀.pptVIP

(五)歐傑電子能譜的縱深分析 AES檢測的表面有效深度約為50 ?以內，如果搭配離子束濺射樣品表面，將表面一層一層刮除掉，再檢測新表面的Auger訊號，就可以得到樣品自表面到內部的元素成分的縱深分佈情況。常運用於薄膜界面或缺陷之分析。 (六)AES的缺點 1） 歐傑電子的產生過程包含了三個不同能階的電子，因此單是由歐傑電子的動能，尚無法得知某一特定電子能階的精確能量。 2）由於所使用之激發能量為數千個電子伏特之電子，此高能量之電子易於在試片表面對某些物質造成損傷，於是有許多化學鍵容易被打斷的物質，例如高分子材料以及碳氫化合物等，此項SAM的技術無法使用。 3） 由於激發電子所產生是二次電子(Secondary electron)，於是會在試片表面產生空間電荷(Space charge)，所以SAM在非導體試片上使用亦有困難。 (七)AES的優點 1）空間分辨率高。 ?2）分析速度相對較快。 ?3）可以分析表面或者表層。 ?4）對於低原子序之元素具高敏感度（H和He除外）。 ?5）它提供了可靠的半定量分析。 6）是在某些情況下化學信息可用。 7 ) 監測樣品表面潔淨度(cleanliness)。 (八)AES的限制 1）表面可能被入射電子光束所破壞。 ?2）只有固態樣品能被分析。 ?3）在電子光束光照下，會分解的樣品不能被研究。 ?4）樣品須有真空相容性。