模拟电路技术课件第一章半导体全解.pptVIP

第一章 半导体器件 软件学院 侯刚 主要内容 1.1 半导体基础知识 1.2 二极管 1.3 稳压二极管 1.4 其它类型二极管 1.5 半导体三极管 1.6 场效应管 1.1 半导体基础知识 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 1.1 半导体基础知识 半导体的导电机理不同于其它物质，所 以它具有不同于其它物质的特点。 半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 本征半导体的原子结构及共价键。 1.1.1 本征半导体 本征激发和两种载流子——自由电子和空穴 温度越高，半导体材料中产生的自由电子便越多。束 缚电子脱离共价键成为自由电子后，在原来的位置留有一个 空位，称此空位为空穴。本征半导体中，自由电子和空穴成 对出现，数目相同。 1.1.1 本征半导体 空穴出现以后，邻近的束缚电子可能获取足够的能量来 填补这个空穴，而在这个束缚电子的位置又出现一个新的空 位，另一个束缚电子又会填补这个新的空位，这样就形成束 缚电子填补空穴的运动。为了区别自由电子的运动，称此束 缚电子填补空穴的运动为空穴运动。 1.1.1 本征半导体 结 论 (1) 半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子， 另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 (2) 本征半导体中，自由电子和空穴结伴产生，数目相同。 (3) 一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相 对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 (4) 温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电 能力增强。空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主 要特征。 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性 能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导 体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P 型）半导体。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导 体，也称为电子半导体。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为空穴半导体。 1.1.2 杂质半导体 1、 N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如 磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。 五价的元素具有五个价电子，它们进入由硅（或锗）组 成的半导体晶体中，五价的原子取代四价的硅（或锗）原 子，在与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时，因为多一个 价电子不受共价键的束缚，很容易成为自由电子，于是半导 体中自由电子的数目大量增加。自由电子参与导电移动后， 在原来的位置留下一个不能移动的正离子。每个五价原子给 出一个电子，称为施主原子。 1.1.2 杂质半导体 N型半导体的共价键结构 1.1.2 杂质半导体 2、P型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元素， 如硼（B）、铟（In）等，则构成P型半导体。 三价的元素只有三个价电子，在与相邻的硅（或锗）原 子组成共价键时，由于缺少一个价电子，在晶体中便产生一 个空位，邻近的束缚电子如果获取足够的能量，有可能填补 这个空位，使原子成为一个不能移动的负离子。由于三价原 子接受电子，所以称为受主原子。 1.1.2 杂质半导体 P型半导体中的共价键结构 1.1.2 杂质半导体 杂质半导体的示意表示 1.1.3 PN结及其单向导电性 利用半导体的制作工艺，在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 PN结具有单一型半导体所不具有的新特性，利用这种新特性可以制造出各种半导体器件。如二极管、三极管和场效应管等。 1.1.3 PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 多数载流子因浓度上的差异而形成的运 动称为扩散运动。 1.1.3 PN结及其单向导电性 扩散运动的结果，在交界面P区一侧因失去了空穴而出现负离子区；而N区一侧因失去自由电子出现了正离子区。 正负离子都被束缚在晶格内不能移动，于是在交界面两侧形成了正、负空间电荷区。在空间电荷区内可以认为载流子已被“耗尽”，故又称耗尽区或耗尽层。 1.1.3 PN结及其单向导电性 空间电荷区出现后，因为正负电荷的作用，将 产生一个从N区指向P区的内电场。内电场的方向， 会对多数载流子的扩散运动起阻碍作用。同时，内 电场则可推动少数载流子（P区的自由电子和N区的