硅基础 第一节 概论.ppt

* 深圳大学材料学院 * * 硅基材料应用 刘新科博士 讲师 深圳大学材料学院 xkliu@szu.edu.cn * * 硅基材料应用 现代硅基CMOS的发展历史 Moore’s law; 国际半导体发展宏图; 微电子的制备的基本流程; * * 第一个晶体管 第一个晶体管-点接触晶体管 John Bardeen, Walter Brattian William Schockley Bell Lab. 1947 Bobel Prize in Physics, 1956 第一个集成电路，  Texas Instruments, 1958 平面晶体管 Fairchild, 1959 第一个平面集成电路 Fairchild, 1961 摩尔定律 Moore’s law：the number of transistors in a dense integrated circuit has doubled approximately every two years. CMOS Scaling 想象一下 想象一下 流感病毒 主要的半导体公司企业 主要的半导体公司企业 TSMC Total Patents:9763 TSMC VS UMC, GF, SMIC Source/Drain formation Process Gate Stack Process Interconnect Applications Sensor, Memory Isolation and Contact Process TSMC(red) VS UMC(green) Source/Drain formation Process Gate Stack Process Interconnect Applications Sensor, Memory Isolation and Contact Process TSMC(red) VS GF(green) Source/Drsain formation Process Gate Stack Process Interconnect Applications Sensor, Memory Isolation and Contact Process TSMC(red) VS SMIC(green) Source/Drsain formation Process Gate Stack Process Interconnect Applications Sensor, Memory Isolation and Contact Process 晶体管的平均价格 硅原子和硅晶体的结构 Each Si atom has 4 nearest neighbors lattice constant = 5.431? 本征载流子 硅晶体中的电子—空穴对当共价键被打断时，就产生自由电子－空穴对，这两种载流子都可以移动并传输电流 掺杂载流子 掺杂硅晶体中的自由电子和空穴VA族元素掺杂的硅晶体中产生额外的电子（ N）IIIA族元素掺杂的硅晶体中产生额外的空穴（ P） 掺杂与电阻率 N型和P型硅电阻率与掺杂浓度的关系 二极管 二极管工作原理示意图 晶体管 增强型NMOS管工作原理示意图在不同偏置电压下NMOS管剖面示意图其中打点部分是耗尽区 Intel roadmap 22nm technology node 深圳大学材料学院 *