第三章集成门电路.ppt

数字集成电路的发展 第一块集成电路是1958年9月由美国德州仪器公司的工程师Jack Kilby制成的。 第一块集成电路只有1个晶体管，几个电阻和一个电容 2000年Jack Kilby为此获得了诺贝尔物理奖。 属于小规模集成电路(100个晶体管以下)。 1960年小规模集成电路每片价格是1000美元。 20世纪60年代后期，出现中规模集成电路（几百到1000个晶体管） 数字集成电路的发展 20世纪70年代开始，出现大规模集成电路（几千到1万个晶体管） 从1980年到现在，是超大规模集成电路（VLSI）的时代，芯片中晶体管的数量已经从几万，到几十亿。 2007年，包含100亿个晶体管的FLASH存储器芯片，开始问世。 请查询最大容量U盘的容量和价格，体会集成电路的发展 二极管与门电路 二极管与门电路 若规定：系统中的低电平是逻辑1，高电平是逻辑0。这样的系统就是负逻辑系统。 在负逻辑下表3-2改为： 正逻辑和负逻辑 所以，存在着两种逻辑系统：正逻辑系统和负逻辑系统。 同样一个逻辑电路，在不同的逻辑系统中，具有不同的逻辑功能。正逻辑系统中的与门，在负逻辑系统就是或门。同样，正逻辑系统中的或门，在负逻辑系统中就是与门。 同一个电路，在正逻辑系统的的功能和负逻辑系统中的功能是互为对偶。 三极管反相器 三极管反相器及其开关等效电路 ： 三极管反相器 反相器的灌电流负载： 灌电流负载在三极管饱和时，流入三极管； 灌电流太大，三极管能脱离饱和，输出低电平将提高； 为了保证三极管可靠饱和，灌电流负载不能太大； 加大集电极电阻，提高饱和深度，可以提高灌电流负载。 三极管反相器 反相器的拉电流负载： 拉电流负载在三极管截止时，流出反相器； 拉电流太大，输出高电平将降低； 为了保证反相器正常输出高电平，拉电流负载不能太大； 减小集电极电阻，可以提高拉电流负载。 TTL集成逻辑门电路 TTL与非门： 多发射极管T1实现与门功能。 T5是非门。 T3和T4是非门的负载。 T2给T5和它的负载提供反相输入信号。 TTL集成逻辑门电路 任一输入为低电平时： TTL集成逻辑门电路 所有输入都是高电平3.4V: TTL集成逻辑门电路 例3.2 若与非门的输入没有外接信号。此时用一个电压表测量某一个输入端的电压，结果等于多少？ 解：电压表上测出的电压应该是T1基极电压减去0.7V： 2.1 – 0.7 = 1.4 电压表显示1.4V。 TTL集成逻辑门电路 例3.3 如果TTL与非门的一个输入端接一个可变电阻，其余输入端开路。问：这个电阻值大于多少时就相当于接输入高电平？ 解： TTL逻辑门的特性参数 电压传输特性 Ui小于0.6V，T2和T5截止，输出高电平 Ui小于1.3V，T2导通，T5截止，输出线性下降 TTL逻辑门的特性参数 输入特性 高电平输入电流：是由T1晶体管倒置工作的集电极电流，以及其他的漏电流构成的，电流流入T1，数量很小 ，微安数量级 TTL逻辑门的特性参数 输出特性 高电平输出电流：输出高电平将随着高电平输出电流的增加而线性下降 低电平输出电流：实际是灌电流输入，电流增大时，输出缓慢增加 TTL逻辑门的特性参数 电源特性 低电平电源电流反映与非门在输出低电平时的电源消耗。输出低电平时，T1的bc结导通、T2、T5都是饱和状态，都有静态电流流过。消耗的电源功率较大。 高电平电源电流反映与非门在输出高电平时的电源消耗。输出高电平时，T1的be结导通、T3、T4都是导通状态，在不考虑负载时，流过的电流都不大，消耗的电源功率较小。 在与非门状态转换时，T4和T5晶体管同时导通，流过的电流较大，消耗功率也大。当与非门工作频率提高时，转换的频度加快，消耗的电源功率也会加大。 TTL逻辑门的特性参数 动态特性：平均传输延迟时间 其他TTL集成门电路 抗饱和TTL电路 增加抗饱和二极管限制三极管的饱和深度，减少延迟 增加T6管，为T5由饱和转向截止时，提供基极存储电荷的有源泄放通道。 其他TTL集成门电路 TTL或非门电路 T1A和T1B是或非门输入 T2A和T2B构成共发射极电路，发射极是两个输入的“或”，集电极是两个输入的“或非” 通过T5，实现或非功能 其他TTL集成门电路 集电极开路门(OC门) 典型的TTL电路不允许输出并联 OC门的输出级没有负载管，集电极是开路的，由此得名 几个OC门的输出是可以并联的 其他TTL集成门电路 OC门并联后的逻辑功能 F1、F2和F的逻辑功能用表格来显示： F=F1·F2 一般称为“线与”。 也可以写为： 其他TTL集成门电路 TTL三态门 EN=1，二极管截止，电路按正常逻辑工作 EN=0，二