第二章 逻辑门电路2课题.ppt

⑶CMOS或非门 图2-34所示电路为两个输入端的CMOS或非门。 当输入A、B都为低电平时，并联NMOS管T1和T2都截止，串联PMOS管T3和T4都导通，于是电路输出为高电平。 电路的输入和输出之间是或非逻辑关系。 ⑷CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 当控制端E为高电平时，NMOS管T1和PMOS管T4均截止，电路输出端F呈现高阻态； 输出端 控制端 输入端 ⑷CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 当控制端E为低电平时，T1和T4管同时导通，T2和T3管构成的CMOS 反相器正常工作。 ⑸CMOS传输门 CMOS传输门是逻辑电路的一种基本单元电路，其功能是一种传输信号可控开关电路。 CMOS传输门电路如图2-36所示。 它是利用结构上完全对称的NMOS管和PMOS管，按闭环互补形式连接而成的一种双向传输开关。 因为MOS管的漏极和源极在结构上完全对称，可以互换，所以传输门的输入端和输出端也可以互换。 传输门的导通电阻很低，约几百欧姆，相当于开关接通，其截止电阻很高，可大于109欧姆，相当于开关断开。接近于理想开关。 工作条件:设TN和TP的|VT|=3V，vI=0V～10V。 ( C=10V， =0V或 C=0V， =10V)。 ⑸CMOS传输门 工作原理： 若C=0V， =10V时，TN和TP同时截止，故传输门截止，则输入和输出之间呈现高阻态，相当于开关断开； ⑸CMOS传输门 工作原理： 若C=10V， =0V且vI在0～7V之间变化时，TN管导通； 而vI在3～10V之间变化时，TP管导通； 故vI在3～7V之间变化时，TN、TP管均导通。 输入和输出之间呈现低阻状态，相当于开关接通。 ⑸CMOS传输门 结论： 由此可见，CMOS传输门的导通和截止取决于控制端所加的电平。 C=1， =0时，传输门导通； C=0， =1时，传输门截止。 模拟开关 利用CMOS传输门和非门可构成模拟开关，如图2-37所示。 当C=1时，模拟开关导通，vO=vI； 当C=0时，模拟开关截止，输入和输出之间断开。 例： 试分析图2-38所示电路的逻辑功能。 解：由模拟开关的功能知：当A=1时，开关接通。传输门导通时，其导通电阻小于1kΩ，1kΩ与200kΩ电阻分压，输出电平近似为0V。 而A=0时，开关断开，呈高阻态。109Ω以上的电阻与200kΩ电阻分压，输出电平近似为VDD。 故电路实现了非逻辑功能。 * * * 2.4 MOS逻辑门 单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 主要介绍NMOS和CMOS门电路。 MOS场效应管开关特性 1.MOS管的结构 2.NMOS管开关作用 NMOS管的符号 G端加高电平时的等效电路 G端加低电平时的等效电路G栅极D漏极S源极BN衬底栅极加高电平，漏极与源极间导通，D-S相当于接通的开关 栅极加低电平，漏极与源极间截止，D-S相当于断开的开关3. PMOS管开关作用 PMOS管的符号 G端加低电平时的等效电路 G端加高电平时的等效电路G栅极D漏极S源极BP衬底栅极加低电平，漏极与源极间导通，D-S相当于接通的开关 栅极加高电平，漏极与源极间截止，D-S相当于断开的开关⒈ NMOS 门电路 ⑴NMOS 反相器 ⑵NMOS 与非门 ⑶NMOS 或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑸NMOS 异或门 ⑹NMOS 三态门 ⑴NMOS反相器 T1管为工作管(驱动管、控制管)，T2管为负载管，故此电路称为有源负载反相器。 T2管： VGD=VGS-VDS=0VT，故T2管工作在饱和区，T2管称饱和型负载管，总是处于导通状态。 vI为高电平且vI＞VT1时，T1、T2管同时导通，输出电压vO为两个管子的导通电阻对VDD的分压，即vo=VDDRDS1/(RDS1+RDS2)。vI为高电平时，vO为低电平。 当输入电压vI为低电平时(vI＜VT1)，T1管截止，输出为高电平(vO=VOH=VDD-VT2)。 为了保证在T1和T2同时导通时满足RDS1＜＜RDS2，制造时使T1、T2在结构上有不同的宽长比，即W1/L1＞＞W2/L2。 ⑴NMOS反相器 饱和型负载反相器有两个缺点： ①输出高电平低。由于负载管T2导通时导通时，栅源间至少要保持等于开启电压VT2的电压，所以输出高电平较电源电压低一个开启电压值。为了保证有足够高的输出高电平，必须增大电源电压。 ②为了保证输出低电平足够低，