马赫曾德尔调制器和电吸收调制器原理性能.pptVIP

Company LOGO Company LOGO RoF 基本组成：光源，光调制器，光放大器，光电探测器 光调制器： 依据的基本理论是各种不同形式的电光效应、声光效应、磁光效应、Fang-Keldgsh效应、量子阱Stark效应、载流子色散效应等 主要包括：相位调制器和强度调制器 强度调制器主要有：EAM和MZM 马赫-增德尔调制器（MZM） MZM结构图 MZM——2个相位调制器 输入光场 驱动电压 相位调制引起的附加相位 经相位调制输出光场形式 相位调制器 如果 MZM——两个相位调制器 假设两臂分别调制了角频率为ω1, ω2，幅度为V1和V2的调制电压 马赫-增德尔调制器 G是电极间间隔，L是电极长度，neff是铌酸锂光波导有效折射率，Г是电场与光场间之间重叠因子，?为真空中光波波长，γ33为线性电光张量第九分量 MZM输出光场为： ρ为两个Y分支功率分配比，理想状况下ρ1=ρ2=1/2，所以 马赫-增德尔调制器 输出端光强为： (V1-V2)=0 Iout=Iin ——最大输出点 (V1-V2)=Vπ/2 Iout=1/2Iin —— 正交点(quadrature point) (V1-V2)=Vπ Iout=0 —— 最小输出点 马赫-增德尔调制器 输出MZM光强经过光纤链路衰减注入到PD，根据PD探测原理，输出电流与光强成正比，系数为PD响应度η MZM在ROF系统中有着多方面的应用，主要包括射频信号调制到光载波上、毫米波信号的产生、上变频技术以及新型光调制技术的实现等等。 电吸收调制器（EAM） 电吸收调制器是一种P-I-N半导体器件，其I层由多量子阱（MQW）波导构成。当调制电压使P-I-N反向偏置时，入射光完全被I层吸收，入射光不能通过I层，相当于“0”码；反之，当偏置电压为零时，势垒小时，入射光不被I层吸收而通过它，相当于“1”码，从而实现对入射光的调制。对不同波长的吸收峰不同，对同一波长不同能量的脉冲吸收不同 电吸收调制器 电吸收调制器特性 吸收特性——吸收系数是外加电压、入射光子能量的函数，同时又是与波长相关的函数。 消光特性（通断状态下的光强度比）——不加偏压时，光吸收最小，on,输出功率最大。入射波长越小，消光比越大。 偏压特性——调制电压反向偏置，随着偏压增大，量子阱电场增大，“断”，输出功率最小 插入损耗特性——通时的损耗 啁啾特性——折射率实部变化量比上虚部变化量 优缺点 马赫一增德尔干涉仪型强度调制器是比较常用的外调制器，其输出功率为两臂光场干涉的结果。这种调制器的缺点是工作在线性偏置点时，引入了固有的3dB损耗。此外调制器半波电压目前还较高，调制效率较低。它是一个铌酸锂器件，无法做到全光纤化。 电吸收型强度调制器基于器件的各种电吸收效应。相比与MZM来说，其优点是易集成、驱动电压低并且调制速率高，但是损耗比较高，作为模拟调制器性能也不是很理想。 * * * * * 在一般的ROF链路当中，偏置点都放置在半波电压的位置，即Vπ/2这主要是两方面的因素决定的，第一，射频增益与偏置电压有关，当偏置在半波电压时，射频增益为最大值;第二，偏置点在半波电压位置可以使二阶信号为零。 * Company LOGO Company LOGO * * * * * 在一般的ROF链路当中，偏置点都放置在半波电压的位置，即Vπ/2这主要是两方面的因素决定的，第一，射频增益与偏置电压有关，当偏置在半波电压时，射频增益为最大值;第二，偏置点在半波电压位置可以使二阶信号为零。 *