7打印第七章信息显示材料与器件概论.ppt

* * 2.2 发光强度 发光效率——表征材料的发光本领。其大小与激发强度有关。可以用量子效率、能量效率和光度效率（流明效率）来表示材料发光效率的高低。 量子效率：发光量子数与激发源输入的量子数之比。 能量效率：发光的能量与激发源输入的能量之比。 光度效率：发光的流明数与激发源输入的能量之比。 * * 2.3 发光持续时间（余辉） 荧光：激发和发射两个过程之间的间隙极短，约为10-8秒。只要光源一离开，荧光就会消失。 磷光：在激发源离开后，发光还会持续较长的时间。 余辉时间：当激发停止后，发光强度衰减到10%所经历的时间。 极短余辉：余辉时间1μs的发光 短 余 辉：余辉时间1~10μs的发光 中短余辉：余辉时间10-2~1ms的发光 中 余 辉：余辉时间1~100ms的发光 长 余 辉：余辉时间10-1~1s的发光 极长余辉：余辉时间1s的发光 * * 液晶显示是依靠液晶的电光效应和热光效应，具体分类如下： ①电场效应：利用介电常数的各向异性。属于这种的有扭曲型、超扭曲型、宾主效应型、相变型、电控双折射型、铁电效应型等； ②电流效应：利用介电常数各向异性与电导率各向异性。属于这种的只有动态散射型一种； ③电热效应：利用电极加热使液晶状态发生变化，有存储性。 ④热光效应：激光写入型和胆甾热变色型； 液晶显示 * * 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度有关，即  λ≈1240/Eg（nm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～760nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 * * LED优点 高节能：直流驱动，超低功耗（单管0.03-0.06 瓦）电光功率转换接近100%，相同照明效果比传统光源节能80%以上。　　 寿命长：LED光源有人称它为长寿灯，意为永不熄灭的灯。固体冷光源，环氧树脂封装，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，使用寿命可达6万到10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。 利环保：环保效益更佳，光谱中没有紫外线和红外线，既没有热量，也没有辐射，眩光小，而且废弃物可回收，没有污染不含汞元素，冷光源，可以安全触摸，属于典型的绿色照明光源。 高新尖：与传统光源单调的发光效果相比，LED光源是低压微电子产品，成功融合了计算机技术、网络通信技术、图像处理技术、嵌入式控制技术等所以亦是数字信息化产品是半导体光电器件“高新尖”技术，具有在线编程、无限升级、灵活多变的特点。 多变幻：LED光源可利用红、绿、篮三基色原理，在计算机技术控制下使三种颜色具有256级灰度并任意混合，即可产生256×256×256颜色，形成不同光色的组合变化多端，实现丰富多彩的动态变化效果及各种图像。 * * 发光二极管用发光材料 发光二极管用材料要求具有如下特性： 发光在可见光区，禁带宽度3.26eV ≥ Eg≥1.63eV； 材料必须容易做成n型及p型； 具有高效率的发光中心或复合发光； 效率降至初始值一半的时间大于105h； 材料要能生长成单晶，能规模化生产。 * * 常用LED材料 二元化合物：GaP（红绿）、GaN（红绿蓝黄白）、GaAs和SiC等； 三元化合物：控制混晶的成分比可以改变禁带宽度，实现多色化，AlxGa1-xAs、GaAs1-xPx、In1-xGaxP和In1-xAlxP等； 四元化合物：可以在相当宽的范围内控制禁带宽度与晶格常数，如InGaAsP在室温下能实现0.55～3.40μm波长的发光。 * * 2003年6月，中国科技部联合信息产业部、中国科学院等8个部门，和北京、上海等15个地方政府全面启动我国半导体照明工程，旨在迎接新的照明革命，加速我国半导体材料、芯片、封装及应用产业化支撑技术方面突破。 中国国家半导体照明工程 2004年3月 上海 上海张江（预测2010年，上海半导体灯产业将实现销售额 100～ 120亿元人民币，出口创汇 3～5亿美元 ） 2004年4月 厦门 厦门三安、明达光电、乾照光电芯片（总产量占大陆芯片产量