AT45DB01B中文资料.doc

AT45DB081B 特征： *电压工作范围 2.5—3.6 或 2.7—3.6V *使用SPI串行接口 *最大时钟频率20 MHz *页编程操作 4096页（264字节/页） *支持页或块擦除 *2个264字节的SRAM数据缓冲器（在对页进行编程时允许缓冲器接收数据） *可以通过一个指针进行连续读操作 *低能量消耗 （读操作电流4mA；空闲时电流2uA） *完全兼容AT45DB081和AT45DB081A *管脚支持5V输入: SI、SCK、 /CS、 /RESET、 /WP *商业工业温度工作范围 二：简述： *它用途广泛，可以用来存储声音、图片、程序、数据等； *8650752位的存储空间被成4096页（264字节/页）； *除了主存储的页，还包括2个SRAM的数据BUFFER(264字节)，这两个数据 BUFFER允许在对主存储页编程时接收数据和读写连续的数据流； *使用SPI接口,支持SPI的mode0和mode3； *在系统编程比较简单，不需要高电压；所有的编程周期都是串行FLASH自己 定时。 三：框图： 四：Memory Array 三种操作方式: sector 、block、page 所有的串行FLASH编程操作是基于page的；而擦除操作则可以按block或page进行。 五：器件操作： 读操作指令： （1） continuous array read: 连续读（可跨页） 操作码（68H或E8H） 24个地址位 32个无关位 XXX PA11—PA0(页地址) BA8—BA0（页内地址） 为了开始连续读操作，首先要发送操作码68H或E8H，然后发送24个地址位（3个无关位，12个页地址位PA11-PA0，9个页内地址位BA8-BA0），然后发送32个无关位（可以是任意值）,32个无关位后，SCK再有时钟脉冲就会通过SO口输出数据。 /CS脚在发送操作码、地址位、无关位和读取数据位时保持低电平；在读到一页的结束时，会无延迟的进行下一页数据的读取；当读完了最后一页的最后一个字节，就会无延迟地返回到第一页的第一个字节继续读取。 /CS的上升沿会中断读操作，使SO口进入高阻态；SCK的最高频率为Fcar=20MHz。 连续读操作通过两个数据缓存BUFFER进行，BUFFER中的内容不变。 （2）main memory page read ： 主存储器页读 操作码（52H或D2H） 24个地址位 32个无关位 XXX PA11—PA0(页地址) BA8—BA0（页内地址） 该操作允许用户通过BUFFER读取4096页中的一页数据。首先发送操作码52H或D2H,然后是24个字节的地址位，然后是32个无关位。 该操作和上边的连续读的最大区别就是：在读到该页的最后一个字节时，连续读会继续读下一页的第一个字节，而主存储器页读则会读同一页的第一个字节。 (3)buffer read: 数据缓存器读 操作码（54H、D4H、56H、D6H） 15个无关位 9个地址位BFA8-BFA0 8个无关位 在两个数据缓存BUFFER中的数据可以通过不同的操作码读出，操作码54H或D4H用于读BUFFER1；操作码56H或D6H用于读BUFFER2。 为了开始读操作，首先发送8个位的操作码，然后15个位的无关位，然后是9个地址位，然后是8个无关位。因为BUFFER是264字节，9个地址位BFA8-BFA0用于确定要读的BUFFER中的第一个字节；当读到最后一个字节，会回到BUFFER头上继续读。/CS的上升沿会中断读操作，使SO口进入高阻态； （4）status register read : 状态寄存器读 操作码57H或D7H 状态寄存器能被用作判断器件是否忙、主存储器的页与数据缓存器BUFFER中数据比较的结果、器件的容量。 为了读状态寄存器，首先发送操作码57H或D7H，在发送完操作码后，接下来的8个SCK脉冲就会使1字节的状态寄存器内容输出到SO，在位0发送完后，只要/CS为低，继续发送SCK脉冲，则会收到更新后的状态寄存器的值，可以应用条指令在发送完写FLASH指令后不断查询FLASH状态，看是否写完。 Ready\Busy status 是状态寄存器的第7位，该位为1时，器件不忙，可以接收下一条命令；该位为0时，器件忙。 有8种操作可以导致器件忙。 主存储器的页与数据缓存器BUFFER中数据比较的结果位是状态寄存器的第6位，若为0，则表示主存储器页中的内容和BUFFER中的内容相同；若为1，则表示至少有1个位不相同。 2、编程和擦除指令 （1）buffer write :