微细加工与MEMS技术张庆中19微机电系统.pptVIP

* 第19章 微机电系统（MEMS） 利用集成电路制造工艺中的加工方法，可以在硅材料上制作极其微小的机械装置。这些机械装置主要可分为传感器和执行器两大类。如果将它们与集成电路做在一起，就可制成包括传感器、控制器和执行器在内的微型智能电子机械系统。这就是 MEMS（Microelectronmechanical System）技术。 19.1 硅基微型机构的优点 一、机械的小型化和轻量化 节约材料和能源；惯性小，因而灵敏度高、频率高；热容量小；等等。在医疗与军事等领域有巨大的应用前景。 二、高效的加工和装配 采用集成电路制造工艺中的加工方法，可以大批量生产，且均匀性重复性好。 三、与 IC 制造相兼容 可以很方便地与控制电路集成在一起，形成微型的智能化机械系统。 四、单晶硅有良好的机械性能 单晶硅的弹性系数与破坏应力大体和钢接近，不产生塑性形变，直到被破坏为止都有弹性。唯一的缺点是比较脆。 19.2 硅基微型机构的加工制造技术 一、体硅腐蚀技术 这种技术是在空间的三个维度上将硅衬底的大部分腐蚀掉，只留下选定的区域，以形成最终的单晶硅结构。 这种技术的基础是 ，在某些腐蚀液中，单晶硅的腐蚀速率在不同方向上具有各向异性。常用的体硅腐蚀液有 KOH 溶液和乙二胺邻苯二酚（EDP）等。它们对硅（111）面的腐蚀速率比对（100）面和（110）面的低 1 到 2 个数量级。其中 KOH 溶液无毒，装置简单，腐蚀质量好，操作容易。但缺点是 K+ 离子的沾污会影响器件性能，因此与 IC 制造工艺不相容。 利用体硅腐蚀技术可形成硅杯、硅膜片和 SiO2 悬臂梁等。 MEMS 元件的尺寸控制 利用体硅腐蚀技术制造的 MEMS 元件，其横向尺寸取决于光刻，可以控制得非常精确。但是其深度方向上的尺寸由湿法腐蚀决定，因此比较难控制。体硅腐蚀技术中控制腐蚀深度的方法，称为腐蚀终止技术，主要有以下 5 种： 1、定时腐蚀 2、V 形槽的各向异性腐蚀 3、P++ 掺杂层自停技术 4、电化学自停技术 5、高密度 RIE（HDP RIE）刻蚀技术 1、定时腐蚀 最简单的方法就是靠时间和经验来控制腐蚀的终止，但这种方法的精度最差，且有负载效应。 2、V 形槽的各向异性腐蚀 111 100 3、P++ 掺杂层自停技术 表面掺硼 背面氧化 N - Si 背面光刻 腐蚀硅 P++ 掺杂层 4、电化学自停技术 对 N 型硅加上相对于腐蚀液为正的偏置电压，将阻止 N 型硅的腐蚀。 KOH 腐蚀液 5、高密度 RIE（HDP RIE）刻蚀技术 利用 RIE 刻蚀技术可实现与晶面无关的各向异性刻蚀。现已可获得深宽比达 30 以上的坑槽。但由于刻蚀速率很慢，通常用于小区域上的各向异性刻蚀。 利用体硅腐蚀技术形成的硅杯、硅膜片和 SiO2 悬臂梁 二、表面加工技术 采用与集成电路制造工艺相似的各种标准加工工艺，如薄膜淀积、光刻等。其中最重要的一种加工技术称为 “ 表面牺牲层腐蚀技术 ” ，可在硅片表面制作可动的机械结构。这种技术利用不同材料在同一腐蚀液中腐蚀速率的巨大差异，将已按一定形状和顺序叠加在一起的多层薄膜材料中的一层选择性地去掉，从而得到所需的结构。被去掉的这一层即称为表面牺牲层。常用的慢腐蚀材料有 Si 和 Poly - Si，牺牲层材料有 CVD SiO2 、PSG、Al 和 PMMA 。腐蚀液为 HF 溶液。 利用这种技术可制作 Poly - Si 膜片、悬臂梁和轴承等。 淀积与光刻 PSG-1 与 Poly-Si-1 淀积与光刻 PSG-2 淀积与光刻 Poly-Si-2 腐蚀掉全部 PSG 固定轴（ Poly-Si-2） 旋转臂（ Poly-Si-1） 加速度计市场是应用 MEMS 的最好范例。许多公司都是从开发加速度计而进入 MEMS 领域的。MEMS 加速度计现在已是成熟商品，并在市场中占绝对的支配地位。MEMS 加速度计的一个重要应用是在汽车安全气囊系统中。各公司制作这种加速度计的具体工艺各不相同。下图的加速度计是由以体硅腐蚀技术加工的多层硅片