4.CMOS集成逻辑门及门电路应用分析.pptVIP

主要要求： 掌握CMOS反相器的电路、工作原理和主要外特性。 了解CMOS数字集成电路的应用要点。 了解CMOS与非门、或非门、开路门、三态门和传输门的电路和逻辑功能。 3.3 CMOS集成逻辑门 是由增强型PMOS管和增强型NMOS管组成的互补对称MOS门电路。比之TTL，其突出优点为：微功耗、抗干扰能力强。 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B 一、CMOS反相器 （一）电路基本结构 构成CMOS集成门电路的基本单元 要求VDDUGS(th)N+｜UGS(th)P｜且UGS(th)N=｜UGS(th)P｜ 增强型NMOS管 （驱动管） 增强型PMOS管 （负载管） 栅极G相连作输入端 构成互补对称结构 漏极D相连作输出端 UGS(th)N 增强型NMOS管开启电压 uGSN + - UGS(th)P 增强型PMOS管开启电压 uGSP + - UIL=0V，UIH=VDD uGSNUGS(th)N时，增强型NMOS管导通； uGSNUGS(th)N时，增强型NMOS管截止。 O iD uGS UGS(th)N 增强型NMOS管 转移特性 NMOS管的衬底接电路最低电位，PMOS管的衬底接最高电位，从而保证衬底与漏源间的PN结始终反偏。 uGSPUGS(th)P时，增强型PMOS管导通； uGSPUGS(th)P时，增强型PMOS管截止。 O iD uGS UGS(th)P 增强型PMOS管 转移特性 （二）工作原理 A uI Y uO VDD S G D D G S VP 衬底B VN 衬底B 输入为低电平，UIL=0V时 uGSN=0VUGS(th)N， UIL=0V 截止 uGSN + - VN截止， uGSP=uGP-uSP=0V-VDDUGS(th)P VP导通， 导通 uGSP + - uO≈VDD为高电平。 输入为高电平，UIH=VDD时 A uI Y uO VDD S G D D G S VP 衬底B VN 衬底B uGSN=VDDUGS(th)N，VN导通， UIH=VDD 导通 uGSN + - uGSP=VDD-VDD=0VUGS(th)P， VP截止， 截止 uGSP + - uO≈0V为低电平。 ROFFN RONP uO +VDD S D D S 导通电阻RON截止电阻ROFF RONN ROFFP uO +VDD S D D S 可见构成CMOS非门，又称CMOS 反相器。 无论输入高低，VN、VP中总有一管截止，使静态漏极电流iD=0。因此CMOS反相器静态功耗极微小。 二、其它功能的CMOS门电路 （一）CMOS与非门和或非门 1. CMOS与非门 A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 每个输入端对应一对NMOS管和PMOS管。NMOS管为驱动管，PMOS管为负载管。输入端与它们的栅极相连。 与非门结构特点： 驱动管相串联， 负载管相并联。 工作原理 1 1 驱动管均导通， 导通 导通 负载管均截止， 截止 截止 0 输出为低电平。 低电平输入端相对应的驱动管截止，负载管导通， 输出为高电平。 因此Y=AB A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 0 截止 导通 1 ◆　　当输入均为 高电平时： ◆ 　当输入中有 低电平时： 使并联电阻很大，串联电阻很小。 2. CMOS或非门 A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 与与非门相同处：每个输入端对应一对NMOS管和PMOS管。NMOS管为驱动管，PMOS管为负载管。输入端与它们的栅极相连。 或非门结构特点： 驱动管相并联， 负载管相串联。 但结构特点与与非门不同 Y A B uO uI VDD1 漏极开路的CMOS与非门电路 （二）漏极开路的CMOS门 简称OD门 与OC门相似，常用作驱动器、电平转换器和实现线与等。 构成与门 构成输出端开路的非门 需外接上拉电阻RD Y=AB PMOS C uI/uO VDD CMOS传输门电路结构 uO/uI VP C NMOS VN （三）CMOS传输门 工作原理 当C=VDD，uI=0～VDD时，VN、 VP中至少有一管导通，输出与输入 之间呈现低电阻，相当于开关闭合。 uO=uI，称传输门开通。 由一对参数对称一致的增强型NMOS管和PMOS管并联构成。 MOS管的漏极和源极在结构上对称，可互换使用，因此CMOS