EL测试仪培训.pptx

EL测试仪培训目录EL测试仪原理及结构介绍EL测试仪应用介绍EL缺陷图片分析EL测试仪原理及结构介绍EL（ electroluminescence ）：电致发光电致发光(英文electroluminescent)，又可称电场发光，简称EL，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。根据发光原理分为本证电致发光和注入式电致发光，半导体发光二极管（LED）就是使用注入式电致发光。外加电压V由于晶硅电池片具有PN结结构，接入正向偏压V后，本身平衡的载流子在电场作用下移动，少数载流子在导带低向价带顶发生跃迁，激发出能量为Eg的光子。对于Si，该方式发光的波长为：波长γ =hc/Eg=1110nmEL测试仪原理及结构介绍在掺杂的晶体Si中存在施主、受主能级，其他杂志能级，缺陷能级等，注入的非平衡载流子也可在上述能级间复合发光，因为上述能级间能量小于Eg，因此辐射的光波长大于1110nm。Si电子注入发光光谱右侧1300-1700nm间也存在发光光谱，该光谱主要为缺陷能级复合的发光光谱。EL测试仪原理及结构介绍电致发光的亮度正比于总的非平衡少数载流子数量，正比于少子扩散长度，正比于电流密度。EL亮度与少子扩散长度的关系EL测试仪原理及结构介绍电致发光（EL）缺陷检测仪结构当太阳能电池加正向偏压时，可以将其看作一个发光效率很低的发光二级管EL测试仪应用介绍EL缺陷测试仪在正向偏压下，可检测如下太阳能电池、组件缺陷：在反向偏压下，可以检测电池片中因各种缺陷所造成的漏电，可通过不同电压值下漏电大小并结合图片发现漏电区域及严重程度。EL缺陷图片分析正常电池片正常电池片测试图片亮度较高，亮度较均匀。EL缺陷图片分析隐裂片EL缺陷图片分析材料缺陷EL缺陷图片分析烧结炉带网纹EL缺陷图片分析断栅EL缺陷图片分析边缘过刻EL缺陷图片分析晶界、暗纹EL缺陷图片分析边缘漏电EL缺陷图片分析划痕EL测试仪与Correscan对比温度对EL测试的影响本征缺陷（晶格缺陷、晶界等）的EL图像对温度较敏感，而非本征缺陷（断栅、裂纹等）导致的EL图像对温度变化不敏感。因此可以通过不同温度下的EL图像的差别来加以区分。温度增加谢谢！