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第七章 半导体存储器 半导体存储器的分类 只读存储器（ROM）的分类 随机存储器（RAM） 7.2 只读存储器（ROM） 二极管ＲＯＭ的电路结构 二极管ＲＯＭ的电路结构 二极管ＲＯＭ的电路结构 掩模ROM的结构 掩模ROM的结构 MOS管构成的存储矩阵 7.2.2 可编程只读存储器(PROM) 7.2.2 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 一、EPROM（UVEPROM） E2PROM（电可擦除的ROM） E2PROM 三、快闪存储器(Flash Memory) 7.3 随机存储器 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 1024 ? 4位RAM（2114）的结构框图 二、SRAM的静态存储单元 7.3.2 动态随机存储器（DRAM） 单管动态存储单元 二、灵敏恢复/读出放大器 三、DRAM的总体结构 7.4 存储器容量的扩展 7.4.2 字扩展方式 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 例7.5.2 例7.5.2 例7.5.2 例7.5.1 例7.5.1 补 充 作 业 补 充 作 业 补 充 作 业 补 充 作 业 小 结 适用于位数够用而字数不够的情况 A9A8=00时选中RAM（1），其地址为0-255 A9A8=01时选中RAM（1），其地址为256-511 扩展后容量为1024?8 保证任何时候只有一个CS有效。 任何时候只有一个CS有效，因此输出端可以并联。 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 D3 D2 D1 D0 A1A0 数 据 地 址 在ROM的数据表中，如果将输入地址A1、A0看成两个输入逻辑变量，而将数据输出D3、D2、D1、D0看成一组输出逻辑变量，则D3、D2、D1、D0就是A1、A0的一组逻辑函数， ROM的数据表就是这一组多输出组合逻辑函数的真值表，因此该ROM可以实现表中的四个函数(D3、D2、D1、D0)，其表达式为： 从ROM结构来看，其地址译码器形成了输入变量的全部最小项，即每一条字线对应输入地址变量的一个最小项，而每一位数据输出又都是若干个最小项之和，因此任何形式的组合逻辑函数均可以通过向ROM中写入相应的数据来实现。 用具有n位输入地址，m位数据输出的ROM可以获得一组最多m个的任何形式的n变量组合逻辑函数，只要根据函数形式向ROM中写入相应的数据来即可。 此原理同样适用于RAM ① 根据逻辑函数的输入、输出变量数目，确定ROM的容量，选择合适的ROM。 ② 写出逻辑函数的最小项表达式，画出ROM的阵列图。 ③ 根据阵列图对ROM进行编程。 用ROM实现逻辑函数的一般步骤 例7.5.2 试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数。 解： 输入变量4个 将逻辑函数化为最小项表达式。 输出变量4个 需要16?4的ROM W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10W11W12W13W14W15 地址译码器 （与逻辑阵列） 存储矩阵 （或逻辑阵列） Y1 Y2 Y3 Y4 注意位序 Y1 Y2 Y3 Y4 注意位序 例7.5.1 试用ROM设计一个八段字符显示译码器。 0. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 а b c d e f 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1