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电压和电流的关系 电阻R 电容C 电感L §1.4 场效应管 一、大功率晶体管GTR 电力晶体管Giant Transistor—GTR，直译为巨型晶体管 双极结型晶体管Bipolar Junction Transistor—BJT,也称为Power BJT 达林顿管，复合管β≈β1β2 提高了放大倍数，降低了驱动功率，仍较高 开关速度较快 （开通较慢，关断慢） 通态压降较低 功率较大 二、功率场效应管MOSFET 场效应管 FET—Field Effect Transistor 绝缘栅场效应管MOSFET—Metal Oxide Semiconductor FET 功率场效应管 Power MOSFET 垂直导电的双扩散型绝缘栅场效应管VDMOS—Vertical Double-diffused MOSFET 垂直导电，可获得大电流； 设有高阻区，耐压提高； 沟道短，开关速度和效率高。 开关速度很快 通态压降低 功率有限 四、绝缘栅双极型晶体管IGBT Insulated-gate Bipolar Transistor 场效应管和三极管复合 开关速度快 通态压降低 功率大 五、集成门极换流晶闸管IGCT Integrated Gate Commutated Thyristor 可关断晶闸管和晶体管结合:由晶闸管开通,转换为晶体管关断 开关速度