2015第8次课第五章半导体异质结中的二维电子气及调制掺杂器件.pptVIP

应用: 1. 1990年起, 国际电阻标准为: 精度 2. 精细结构常数 精度 5.5 二维电子气低温磁输运测量研究 实验 3. 磁电阻测量用范德堡和标准法进行，测量温度在1.4 K到25 K之间，磁场从0 T到13 T。 1. 用MOCVD方法制备了AlGaN/GaN异质结。 2. 欧姆接触：Au/Ni/Al/Ti，电子束蒸发，在高纯N2气氛下快速热退火。 子带占据情况： 上式中的余弦项反映子带底穿越费米能级引起的周期变化 是温度相关项， 其中，R0是零场电阻， 有两个子带被2DEG占据： cm-2 cm-2 式中，A=x／sinhx即每一子带SdH振荡在某一磁感应强度B 下的振幅，m 是该子带电子的有效质量 由此得到第一子带电子的有效质量 m1*=0.052m。． 对第二子带做相同的处理，得 m2*=0.049m。 双子带占据的In0.52AlGa0.48As／In0.53Ga0.47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应 APPLIED PHYSICS LETTERS 88: 172115, 2006 Effective mass