第2章 集成电路材料结构与理论.pptVIP

* * 2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 * * 2.3.1 PN结的扩散与漂移 由于两种半导体内带电粒子的正、负电荷相等，所以半导体内呈电中性。 图2.2 PN结的形成 * * 扩散运动 由于PN结交界面两边的载流子浓度有很大的差别，载流子就要从浓度大的区域向浓度小的区域扩散：P区中的空穴向N区扩散，在P区中留下带负电荷的受主杂质离子；而N区中的电子向P区扩散，在N区中留下带正电荷的施主杂质离子。在紧靠接触面两边形成了数值相等、符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层，这就是PN结。 * * 图2.3 平衡状态下的PN结 在耗尽区中正负离子形成了一个电场ε，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区的。这个电场一方面阻止扩散运动的继续进行，另一方面，将产生漂移运动，即进入空间电荷区的空穴在内建电场ε作用下向P区漂移，自由电子向N区漂移。漂移运动和扩散运动方向相反。动态平衡时，扩散电流和漂移电流大小相等、方向相反，流过PN结的总电流为零。 扩散电流 漂移电流 扩散：浓度差 漂移：电场 * * 2.3.2 PN结型二极管