第2章 电力电子器件解说.ppt

* MOS controlled thyristor---MCT 由MCT元组成。 单元：一个PNPN晶闸管，一个控制晶闸管开通的MOSFET，一个控制晶闸管关断的MOSFET。 MCT结合了二者的优点： 承受极高di/dt和du/dt，快速开关过程，开关损耗小； 高电压，大电流、高载流密度，低导通压降； 关键技术问题无大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 复合器件——MOSFET与晶闸管的复合 * Static induction transistor---SIT 结型场效应晶体管---70年代诞生 多子导电，频率与MOSFET相当，甚至更高，容量更大，适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 缺点： 栅极不加信号导通，加负偏压关断，为正常导通型器件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，还未得到广泛应用。 * Static induction thyristor---SITH 诞生于1972年； SITH是双极型器件，有电导调制效应，通态压降低、通流能力强； 特性与GTO类似，开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件； ?一般是正常导通型，也有正常关断型； 电流关断增益较小，应用范围还有待拓展。 * Integrated gate-commutated thyristor 20世纪90年代后期出现，结合IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍； 可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很大； 目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。 * Power integrated circuit and power module 20世纪80年代中后期开始，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块； 缩小装置体积，降低成本，提高可靠性； 工作高频电路，可减小线路电感，简化对保护和缓冲电路的要求； 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。 基本概念 * Power integrated circuit and power module 高压集成电路（High Voltage IC——HVIC）一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成； 智能功率集成电路（Smart Power IC——SPIC）一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成； 智能功率模块（Intelligent Power Module——IPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 实际应用电路 * 技术难点：高低压电路之间的绝缘及温升和散热处理； 以前的开发和研究主要在中小功率应用场合； 智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难点,最近几年获得了迅速发展； 功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口。 发展现状 Power integrated circuit and power module * Static characteristics of GTR 共发射极接法输出特性：截止区、放大区和饱和区。 工作在开关状态。 开关过程中，要经过放大区。 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性 * Switching characteristics of GTR i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 加快开通过程的办法 ：增大基极驱动电流的幅值和di/dt。 上升时间主要是由于基区电荷储存需要时间造成的，增大基极驱动电流的幅值和di/dt，可加快开通过程。 * Switching characteristics of GTR i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 关断过程 储存时间ts和下降时间 tf，二者之和为关断时 间toff 。 加快关断速度的办法： 减小导通时饱和深度 以减小储存载流子，或增大基极抽取负电