第三章逻辑门电路(康华光)课题.ppt

2006年9月4日 湖南科技大学 第二章 逻辑门电路 第二章 逻辑门电路 本章小结 CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。 0.00087~22 0.0003~7.5 2.9 BiCMOS 13 1? (1MHz) 13 74HCT 15 1.5? (1MHz) 10 74HC 105 1?(1MHz) 75 4000B 延时功耗积 (pJ) 功耗 (mW) 传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF) 参数 系列 3.1.8 CMOS逻辑门电路的技术参数 CMOS门电路各系列的性能比较 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI=0V时: iB?0，iC?0，vO＝VCE≈0.2V，c、e极之间近似于短路, vI=5V时: A.截止状态 ①.Je 、Jc皆反偏， ib=0，ic=0 ②.VO = VCE = VCC - iCRC ? VCC ③.可靠截止条件：VBE ? 0V。 B.放大状态 ①. Je正偏 , Jc反偏, iC = ?iB； ②.VO=VCE=VCC–iCRC ，iC与iB增加VO减小。 C.饱和状态 ①.Je正偏 .Jc正偏； ②.iB =