半导体CMP工艺介绍.pptVIP

Introduction of CMP FABS MIRRA MESA Mirra-Mesa 机台外观-侧面 SMIF POD WET ROBOT FY Chang/CMP Introduction of CMP Mirra (Mesa) Top view Mirra-Mesa 机台外观-俯视图 FY Chang/CMP Introduction of CMP Mirra-Mesa 机台-运作过程简称 1 2 3 4 5 6 1?2: FABS 的机器手从cassette 中拿出未加工的WAFER并送到WAFER的暂放台。 2?3: Mirra 的机器手接着把WAFER从暂放台运送到LOADCUP。LOADCUP 是WAFER 上载与卸载的地方。 3?4: HEAD 将WAFER拿住。CROSS 旋转把HEAD转到PLATEN 1到2到3如此这般顺序般研磨。 4?3: 研磨完毕后，WAFER 将在LOADCUP御载。 3?5: Mirra 的机器手接着把WAFER从LOADCUP 中拿出并送到MESA清洗。 5?6: MESA清洗部分有1）氨水（NH4OH）+MEGASONIC（超声波）糟 2）氨水（NH4OH）刷。 3）氢氟酸水（HF)刷 4）SRD，旋转，烘干部。 6?1: 最后，FABS 机器手把清洗完的WAFER 送回原本的CASSETTE。加工就这样完毕了。 HEAD FY Chang/CMP ~End~ FY Chang/CMP * * * FY Chang/CMP Introduction of CMP 化学机械抛光制程简介 （Chemical Mechanical Polishing-CMP) FY Chang/CMP 目录 CMP的发展史 CMP简介 为什么要有CMP制程 CMP的应用 CMP的耗材 CMP Mirra-Mesa 机台简况 Introduction of CMP FY Chang/CMP CMP 发展史 1983: CMP制程由IBM发明。 1986: 氧化硅CMP （Oxide-CMP）开始试行。 1988: 金属钨CMP（W CMP）试行。 1992: CMP 开始出现在 SIA Roadmap。 1994: 台湾的半导体生产厂第一次开始将化学机械研磨应用于生产中。 1998: IBM 首次使用铜制程CMP。 Introduction of CMP FY Chang/CMP CMP制程的全貌简介 Introduction of CMP FY Chang/CMP CMP 机台的基本构造 (I) 压力pressure 平台Platform 研磨垫Pad 芯片Wafer 研磨液Slurry Wafer carrier 终点探测 Endpoint Detection 钻石整理器 Diamond Conditioner Introduction of CMP FY Chang/CMP CMP 机台的基本构造(II) Introduction of CMP FY Chang/CMP Mirra 机台概貌 Silicon wafer Diamond disk Introduction of CMP FY Chang/CMP Teres 机台概貌 Introduction of CMP FY Chang/CMP 线性平坦化技术 Introduction of CMP FY Chang/CMP Introduction of CMP Teres 研磨均匀性(Non-uniformity) 的气流控制法 FY Chang/CMP 研磨皮带上的气孔设计(Air-belt design) Introduction of CMP FY Chang/CMP F-Rex200 机台概貌 Introduction of CMP FY Chang/CMP 终点探测图 （STI CMP endpoint profile） 光学 摩擦电流 FY Chang/CMP 为什么要做化学机械抛光 （Why CMP）? Introduction of CMP FY Chang/CMP 没有平坦化之前芯片的表面形态 Introduction of CMP Isolation 0.4 um 0.5 um IMD M2 M2 M1 M1 1.2 um 0.7 um 0.3 um 1.0 um 2.2 um FY Chang/CMP 没有平坦化情况下的PHOTO Introduction of CMP FY Chang/CMP 各种不同的平坦化状况 Introduction of CMP 没有平坦化之前 平滑化 局部平坦化 全面平坦化 FY Chang/CMP 平坦化程度比较 CMP Resist E