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二、自给偏压电路 +VDD Rd C1 C2 RL Rg + + ui + + - - uo Rs + CS 图2.7.4(a) 结型场效应管放大电路 图2.7.4(a)中： 联立求解 IDQ、 UGSQ +VDD RD C1 C2 RL RG + + ui + + - - uo 图2.7.4(b) 耗尽型MOS管放大电路 图2.7.4(b)中，当UGSQ=0时 +VDD Rd C1 C2 RL Rg1 RS + CS + + Ui Rg2 Rg3 g + + - - U0 A . . 三、分压式偏置电路 图2.7.5 分压式偏置电路 静态时栅极电流为0，所以栅-源电压为 IDQ、 UGSQ 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 场效应管放大电路的动态分析 一 场效应管的低频小信号等效模型 s d g + _ . . Ugs gmUgs rds 图2.7.6(b) MOS管交流等效模型 增强型： 耗尽型: (结型) 图2.7.8 基本共源放大电路交流等效电路 电压放大倍数 Ri 输入电阻 输出电阻 Ro = Rd Rd Uo g d S Rg Ugs g m Ugs · Ui + - 二、基本共源放大电路的动态分析 . . . + - + - 例 已知电路中，VGG=6V,VDD=12V,Rd=3kΩ;场效应管的开启 电压UGS(th)=4V,IDO=10mA。试估计电路的Q点、Au和Ro。 (1)估计静态工作点：已知UGS=VGG=6V，于是有 +VDD Rd uo + Rg + - - Vgg (2)估算Au和Ro: 由此我们可知，共源电路的电压放大能力远不如共射电路， 只有在输入电阻要求很高时才用它。 ui 图2.7.2 基本共源放大电路 * * 1)估算Q点; 4.3.9电路如图所示，β＝50. IB IC VCE 2)画小信号等效电路; 3)估算BJT的输入电阻rbe; 4)如果输出端接入4kΩ的电阻负载，计算Av＝vo/vi及Avs=vo/vs。 RL 电路如图所示，VCC＝12V,BJT的 β＝20。若要求|Av|≥100，ICQ＝1mA，试确 定Rb，Rc的值，并计算VCEQ。设RL=∞。 标称值 IB IC VCE 电路如图所示，电容C1,C2,C3对交流信号可视为短路。 (1)写出静态电流ICQ及电压VCEQ的表达式。 IB IC VCE (2)写出电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式； ib ic i vi vo 1 2 (3)若将电容C3开路，对电路将会产生什么影响？ ib ic i vi vo 1 2+3 电路如图所示，信号源内阻RS＝600Ω, BJT的β＝50。 (1)画出该电路的小信号等效电路。 (2)求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro； (3)当vs＝15mV时，求输出电压vo； 电路如图所示，vs为正弦波小信号， 其平均值为0，Rs＝500Ω，BJT的β＝100。 (1)为使发射极电流IEQ约为1mA，求Re的值。 (2)如需建立集电极电位VCQ为+5V，求Rc的值； (3)RL＝5kΩ时，求Avs； 电路如图所示，设β＝100，VBEQ=0.7V。 (1)估算Q点； (2)求电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro； 2.5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 2.5.3 结型场效应管（JFET） *2.5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 2.5.5 各种放大器件电路性能比较 2.5.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 2.5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 1.1 N沟道增强型MOSFET 1.5 MOSFET的主要参数 1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1.3 P沟道MOSFET 1.4 沟道长度调制效应 1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号 1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0vGS VT 时 产