模电课件05第一章BJT放大偏置及电流分配关系.pptVIP

3．BJT的偏置方式： ①发射结正偏、集电结反偏，BJT处于放大状态 ②发射结反偏、集电结正偏，BJT处于反向应用状态，（一般不宜 反向应用） ③二个PN结均正偏，晶体管处于饱合状态 ④二个PN结均反偏，晶体管处于截至状态 4、 BJT三种基本组态 共基极(CB) 组态 , 共射极(CE) 组态 , 共集电极(CC) 组态 * 1．4 双极型晶体三极管(BJT) 1．4．1 BJT的工作原理 1．BJT结构 双极型晶体管分为NPN管和PNP管两种类型 晶体三极管主要包括双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)两种类型 N 集电区 P基区 N+ 发射区 集电结 （CB结） 发射结 （BE结） (B区) （E区） （C区） 发射极(e) 基极(b) 集电极(c) NPN管的结构示意图 P 集电区 N基区 P+ 发射区 集电结 （CB结） 发射结 （BE结） (B区) （E区） （C区） 发射极(e) 基极(b) 集电极(c) NPN管的结构示意图 PNP管的电路符号 NPN管的电路符号 C B E C B E + UBE0 - + UEC0 - 放大偏置状态 iB iC iE + UBE0 _ + UEC0 _ iB iC iE iE = iB +iC ①发射区杂质密度远大于基区杂质密度。 ②基区非常薄(0．1微米到几微米) BJT的发射极与集电极不能交换使用 2．BJT放大偏置及电流分配关系 （1）BJT的放大偏置 发射结正向偏置、集电结反向偏置的状态，我们称这种偏置状态为晶体管的放大偏置 + UBE0 - + UCB0 - iB iC iE PNP管的电路符号 NPN管的电路符号 C B E C B E + UBE0 - + UCB0 - iB iC iE 对于NPN管，要求UCB0，UBE0。 NPN管：UC UB UE PNP管：UC UB UE 正偏发射结导通电压的典型值分别可取0．7V(硅)和0．3V(锗) 。 对于PNP管，要求UCB0，UBE 0。 在电子设备中测得某只放大管三个管脚对机壳的电压如图所示。试判断该管管脚对应的电极，该管的类型以及制造该管的材料 例1．4 ① 0.1V ② 0.78V ③ -11.5V 解：将三个电压从小到大排列： ③ ① ② ，电位居中的①是基极。 ②与①电位差是0．68V，这是Si管正偏发射结电压，故②是发射极， ③便是集电极。 因为放大偏置的PNP管发射极电位最高，集电极电位最低，所以该管是PNP硅管 在电子设备中测得某只放大管三个管脚对机壳的电压如图所示。试判断该管管脚对应的电极，该管的类型以及制造该管的材料 例1．5 ① 0.1V ② -8.5V ③ -8.8V (1) 电位居中的是基极。 因为放大偏置的NPN管集电极电位最高，发射极电位最低，所以该管是NPN硅管 解：将三个电压从小到大排列： ③ ② ① ，电位居中的② 是基极。 ②与③电位差是0．3V，这是Ge管正偏发射结电压， ③故是发射极， ①便是集电极。 (2) 基极与另一极电位差约为0．3V或0.7V的，这一极是是发射极， 0．3V者为 Ge管， 0．7V者为 Si管 (3) 第三极为集电极 (4) 集电极电位为最高者是NPN管；集电极电位为最低者是PNP管 正偏发射结使发射区自由电子(多子)向基区注入（扩散），形成电流iEn； 基区空穴(多子)向发射区注入，形成电流iEp 两电流之和构成发射极电流iE =iEn+iEp ，即iE≈iEn （2）放大偏置时BJT内部载流子的传输过程 ① 发射区多子向基区扩散(又称注入) RC EC Rb EB E 集电结 （CB结） 发射结 （BE结） N 集电区 P基区 N+ 发射区 iE n iEp iE ② 基区非平衡少子向集电结方向边扩散边复合 基区复合电流iB1 EB EB EC EBE ECE ③ 集电区收集基区非平衡少子 集电结反偏，利于结外边界处少子的漂移 iCn1 iCn2 iCp ICBO 集电结的反向饱和电流 iCn2 +iCp =ICBO iB1 iC iB iEp ICBO iB1 iC=iCn1+ICB0 ≈ icn1 iC=iCn1+ICB0 ≈ icn1 iB=iB1+ iEP -ICB0 ICBO =iCn2 +iCp iE = iC + iB ECB ECB ICBO是温度的敏感函数，是晶体管工作不稳定的原因之一，故ICBO应该尽量小 ICBO （3）放大偏置时的电流关系 iE iCn1 RC EC Rb EB E iE n iEp iC iB iEp iB1