晶体管原理-3000短器件发展方向讲义.ppt

第四章 场效应晶体管 第二节 短沟道效应 第四章 场效应晶体管 第四章 场效应晶体管 2) 窄沟道效应 MOSFET沟道宽度Z很小时,阈电压VT随Z的减小而增大。 第四章 场效应晶体管 漏诱生势垒降低效应 第四章 场效应晶体管 热载流子效应 第四章 场效应晶体管 栅氧化层中电子积累的影响: 第三节 微电子器件的发展方向 MOSFET的发展方向 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.06.12 短沟道效应:沟道长小到可以和漏结﹑源结耗尽层宽相比拟时,阈电压下降﹑跨导下降﹑沟道夹不断 Poon-yan模型—电荷分享模型 L很小时,终止于栅下空间电荷区的电力线将有一部分发自于源和漏区。 沟道耗尽区总电荷 受栅极控制的 受源漏区控制的 阈电压的变化—1)短沟道效应 长沟道时: --2.短沟道效应 减轻阈电压沟道效应的措施: ①结深②栅氧化层厚③衬底掺杂 对阈电压有贡献的沟道耗尽区电离受主电荷面密度平均值: 则VS=0,VB=0时: --2.短沟道效应 实际栅电极总有一部分要覆盖在沟道宽度以外的场氧化层上,并在场氧化层下的衬底表面也会产生一些耗尽区电荷。 由VGS引起的扩展区2?Z内的电离受主杂质折算到宽度为Z的沟道耗尽区中,使沟道耗尽区平均电离杂质电荷面密度变为: 则窄沟道MOSF