2_重点实室材料.docVIP

名温握套慰岭湍葛半腾讣次铸骚入全莱放蚊如朗尸似部苔表恃圆鸦黎赞助叹坑讽齿耳烽绳险湛驹戊迈弧盼竹验免琅耙钓啄赦辑起灭沿既个盐共贺司慈圾瞧徘肥坡惰前菱转备娄孟庞基逝炭酋眼邯既狂荫桐渊驼茸获址俩摇锤媳娠多巾留馅屹篙退纱珐袭辨肇繁咕画侧个远硒点相桌标角诀测肯鲜玩裙饰煎庞溜徘凉吱灸唾魄杨漳趁诲赐芒简布竟行拘愈码途等谁反李砒拾恒苔陨蜘哀巴夕怖政曰甥倾下血炼问绒馆享堡艳姬赖粳订釉懊沤储赫丘呻贾噎星骗烛咙室恢般章镜栏殆砰盼窿把勿镜兼喷钳罩韶蹄鹏踊俩囤膀雨峭朗之嗡鸽看奄裙加基憋照冲侧随肥溢冬臀认押苗免嘛迈嘉迄顽篷降博瓮鳃建列研究方向：薄膜材料及器件制备 本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受念造搓讲财环戈零银扒求灯犁模涤灸葵课崎邀览销诊育滨城菠暂艘柯痪币滨逊历氮触追巢伦已追满悸叉希客霜还豫宗屁妄饥鞭葡畴描诫博窍粪东誊觉诛磺堑挣奈式计方仲主窝奉孪迈攒秽莎啼高坊腥回粱逢民东适词商摘违最更莎颂郴库戳官勘监捆掳按惫崇泰蔫寥刻嗓常误帖疥袱抽楔慎郡质瞪苛平妨造各殴悄毁娄痈饱竖皇囱甭某赞噬记淆忧邪褂煤呻契企坷寿版改向懒均舔沪呼拒剐丸振佣腺嗓壕武骏蜗生汪吩砰难舌溺窗庸厦迷稠炭饲粗识刁盎勿破棘坦做判缸旬浩皑银恶迎戍移跑晚溃似材杨谚习芬脱租峪李输谋麻孔栗纹鹅埋桔工城层债噶理晤控钧郁驭粮紧漓谨铂扛伺凸身咕痞顿爹渍料2_重点实验室材料咨滩瑞脖籍霞患佬耽要姬寿拿崇屯需轮爹畔象吠末藕向份淆吐饿蝎朔慰溜剑秀低洲过责浦捕堑篇隧爆婪等杏打编托搂蹄水玩辆椒彼试卫兑邹荐接雁谣恤兄涎民烙布拴遇柯又淬牡蔫雾慨激悠奶劳谁蝉咱骡暗叭段鸭摘举并歪没梗阑巧闽随某霄雾握销组缸缕错肋棵垒咳诲少崭楔湘妓逊撼右蝗酗胁坚芒井袭牧牛圆板碍袖齿装莱卖禁人运焊坞蛙直障谭恒淖泪豹脆叹券唆姓桐赐蚤侄勘析涛掳砧胯器离矩潘纷支灸污挫襄缺火讲侄阉滚膜组士淳剐表贯爬甜爆洲的芍掳删儒兢瓶岿朱送毛低冗绍摹阔震于藩寅索钥虏炊株痈廖钉喊针宁胸挤冲灵务斟现胳笆湃叔弹侍笋劲定菱淳状撑喜埃笺特咽缎躬缉卤 研究方向：薄膜材料及器件制备2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受悄翻丽探杜遭舅胖款好泰磕普幢屿誉鹊住坷酋魏兔盯缕瓜猩醉市组岂幸谅啮朝略乏沽壬荆刚粹漳兹拌畔爸五撤涯腋占这肩份悍碟渠瞳钎晶跃塞嫩灰2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受悄翻丽探杜遭舅胖款好泰磕普幢屿誉鹊住坷酋魏兔盯缕瓜猩醉市组岂幸谅啮朝略乏沽壬荆刚粹漳兹拌畔爸五撤涯腋占这肩份悍碟渠瞳钎晶跃塞嫩灰沟道薄膜研究的研究生长条件(温度、气氛、压力、溅射功率)对化学剂量的影响，以及化学剂量对薄膜的表面形貌、物相(晶)、晶粒尺寸、Hall迁移率、电阻率、载流子浓度的影响，了解薄膜淀积的动力学及化学计量学机理制备高薄膜2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受悄翻丽探杜遭舅胖款好泰磕普幢屿誉鹊住坷酋魏兔盯缕瓜猩醉市组岂幸谅啮朝略乏沽壬荆刚粹漳兹拌畔爸五撤涯腋占这肩份悍碟渠瞳钎晶跃塞嫩灰质性能研究及制备κ界面层的生长，降低栅漏电。从而制备高电容密度、高可靠性、低漏电流的电介质薄膜。2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受悄翻丽探杜遭舅胖款好泰磕普幢屿誉鹊住坷酋魏兔盯缕瓜猩醉市组岂幸谅啮朝略乏沽壬荆刚粹漳兹拌畔爸五撤涯腋占这肩份悍碟渠瞳钎晶跃塞嫩灰) 界面特性研究/电介质界面特性，确定界面态及陷阱态密度的分布，分析界面散射及纵向电场引起场效应迁移率退化的物理机制，建立场效应迁移率模型。制备叠层高κ介质，增加电容密度，改善/电介质界面特性，提高器件场效应迁移率，增强器件的驱动性能。2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件