第2讲单晶硅的特性解说.pptVIP

晶格 反映晶体中原子排列规律的三维空间格子。 晶胞 晶体中能放映原子周期性排列基本特点及三维空间格子对称性的基本单元。 300K时，硅的a=5.4305? ,锗的a=5.6463? 两套面心立方格子沿体心对角线位移四分之一长度套构而成硅晶胞（金刚石结构） 硅晶胞（金刚石结构） 共价四面体 每个原子都处在正四面体的中心，其它四个原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅的晶体结构： 原子密度 顶角：1/8 ； 面心：1/2 ；体心：4 一个硅晶胞中的原子数: 8*1/8+6*1/2+4=8 每个原子所占空间体积为：a3/8 硅晶胞的原子密度: 8/a3=5×1022/cm3 锗晶胞的原子密度: 8/a3=4.425×1022/cm3 原子密度：原子个数/单位体积 晶体内部的空隙 硅原子半径： rsi= =1.17? 硅原子体积: 单位原子在晶格中占有的体积： 空间利用率：硅原子体积/单位原子在晶格中占有的体积约为34% 返回 晶向决定了硅片中晶体结构的物理排列 不同晶向的硅片的化学，电学，机械性质不同，影响工艺制造和器件性能 密勒指数 §1.1.3 硅单晶的晶向、晶面 晶向指数 等效晶向（1） [110]及其等效晶向 [100]及其等效晶向 等效晶向（2） [111]及其等效晶向 常用晶面的密勒指数 等效晶面 [100]、[110]、[111]晶向分别是 （100）、（110）（111）晶面的法线 金刚石结构中的晶面 常见晶面的面密度 金刚石晶向、晶面性质： [111]晶向，原子分布最为不均匀，存在原子双层密排面{111}。双层密排面面内原子结合力强，化学腐蚀比较困难和缓慢，所以腐蚀后容易暴露在表面。而在晶体生长过程中有使晶体表面成为{111}晶面的趋势。但{111}面间结合力弱，故晶体易沿{111}解理面劈裂。 * 8 inch 以下硅片 8 inch 以上硅片 晶体缺陷 缺陷的含义：晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。 理想晶体：格点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 缺陷的分类 点缺陷 线缺陷 位错（刃位错、螺位错） 面缺陷 层错（堆垛层错） 体缺陷 杂质的沉积 自填隙原子、空位（肖特基缺陷）、 弗伦克尔缺陷 外来原子缺陷（替位或间隙式） * 点缺陷 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 * 线缺陷 指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短，分为刃型位错和螺位错。 * 刃型位错 在某一水平面以上多出了垂直方向的原子面，犹如插入的刀刃一样，沿刀刃方向的位错为刃型位错。 将规则排列的晶面剪开（但不完全剪断），然后将剪开的部分其中一侧上移半层，另一侧下移半层，然后黏合起来，形成一个类似于楼梯 拐角处的排列结构，则此时在“剪开线”终结处（这里已形成一条垂直纸面的位错线）附近的原子面将发生畸变，这种原子不规则排列结构称为一个螺位错。 螺位错 * 面缺陷 二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如孪晶、晶粒间界以及堆垛层错。 孪晶：是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面（即特定取向关系）构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为“孪晶”，此公共晶面就称孪晶面。 晶粒间界则是彼此没有固定晶向关系的晶体之间的过渡区。 孪晶界 晶粒间界 指是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某一层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面（称为层错面）两侧附近原子的错误排布 。 堆垛层错 * 体缺陷 由于杂质在硅晶体中存在有限的固浓度， 当掺入的数量超过晶体可接受的浓度时， 杂质在晶体中就会沉积，形成体缺陷。 制备纯的晶体是非常困难的，因为在制备的过程中周围的气氛以及容器中的原子会进入晶体替代晶体本身的原子，这种外来的其他原子就称为杂质（ impurities）。 杂质会对晶体的性质产生很大的影响，既有有利的也有不利的，我们经常会向晶体中加入杂质（ impurities or dopants）来达到某种目的，这个过程就是掺杂（doping）。 1.3硅晶体中的杂质 在拉制单晶时，掺入硼杂质可得到P型单晶硅锭。掺入磷、砷等杂质可得到N型单晶硅锭。 纯单晶硅是绝缘体