版图复习题解答.docxVIP

选择NMOS器件的衬底是型半导体。 （ B ）A. N型 B. P型 C. 本征型 D. 耗尽型 N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（ C ）A. 相等 B. 小C. 大 D. 不确定在layout中给金属线加线名标注，即用lable按schematic的Pin的要求对所要标注的金属线进行说明，通常对metal1层加Pin的标注是用下列层次中的哪一层？ （b ）A. metal1 layer B. mt1txt layerC. metal2 layer D. mt2txt layer在集成电路版图设计中，via1层通常是用来做第一层金属层和下列哪些层次的通孔层的？ （A ）A. metal2 B. activeC. poly D. nmell在集成电路版图设计中， 如果想插入一个器件或单元，请问用哪个快捷键？（C ）A. a B. cC. i D. k在集成电路版图设计中，如果想把画过的尺子清除掉，请问用哪个快捷键？（D ）A. a B. kC. i D. shift k在一个一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻最大的是（B ）A. 扩散电阻 B. 阱电阻C. 多晶硅电阻 D. 铝层连线电阻下列关于保护环的说法不正确的是。（ D ）A. 保护环的目的是给衬底或阱提供均匀的偏置电压。 B. 保护环可以接在VDD或GND上。 C. 保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。 D. 保护环无助于闩锁效应的避免。设计模拟版图时，要考虑的问题比作数字版图多，下列哪个方面不要考虑？（a ）A. 面积要小 B．寄生效应（parasitics） C．对称（matching） D．噪声问题（noise issues） 关于集成电路中的无源器件说法不正确的是。（ C ）A. 集成电路无法高效的实现高值无源器件。 B．要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。 C．由于制造工艺的偏差，无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）也必定很大。 D．尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）可以控制在很小的范围内。PMOS器件的衬底是型半导体。 （ A ）A. N型 B. P型 C. active_contact D.都不需要要想将版图中的金属2与金属1实现电连接，需要在它们之间加上 （A ）A. via B. poly_contactC. active_contact D. 不确定MOS晶体管是一种控制器件。（A ）A. 电压 B. 电流C. 电阻 D. 电容即使版图中晶体管的尺寸与所对应的线路图完全一致，仿真的结果依然会有差异，主要的原因是？ （ A ）A. 版图仿真时参数选择上考虑了寄生效应。 B. 晶体管的性能与尺寸无关。C. 实际是相同的，只是