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引上速度物語 引上速度を上げるための 本当の話 なぜ単結晶は成長するの？ 潜熱はどこに逃げるの？ 最大引上速度は何できまるの？ 引上速度はどうやって上げるの？ (2)式を書きなおして、 　　　　P＝{Ks(dT/dxs)ー KL(TB-Ti)/δT}／Lρ ,　　(4) ここで　TBは融液側の温度、Tiは界面の温度、 δT は拡散境界層　 なお、　　　　　　　　　 　　　δT＝1.61（KL/ρLCL)1/3ν1/6ω-1/2 , (5) ここでCLは比熱、νは動粘性、ωは結晶とルツボの相対回転速度 Pを大きくするには、　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 手段1：　TBを小さくする　　　　　 ← ヒータ電力を下げる　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　 手段2：　δT を大きくする　　　　← 回転を下げる 　　 　 手段3：　dT/dxsを大きくする　　← 輻射シールドを使用する 普段は、手段1を用いているが、手段1、手段2には限界があり、もっぱら手段3（輻射シールド）頼みに陥ってしまう。 　　　　　　　　　　　　 本当にそれでいいの？　 手段1、２に見られる限界こそが、高速化を制限している要因。 これらの要因を取り除かなければ手段3は活きてこない。　　　 それでは、手段1（ヒータ電力ダウン）の限界とは？ 通常の直径制御＝ショートタームをSLで、ロングタームはヒータ電力で ADC(Automatic　Diameter　Control） 　　　　　計測直径 　　　　　　　　　　　↓ 設定直径→　　　　　　　　→　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　↑ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　SLで補正＝計測SL 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ADC1)　　　　↓ 　　　　　　　　　　　　　　　　　設定SL　　→　　　　　　　　　→　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　↑ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ヒータ電力で補正 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ADC2) 普通はこうなる なぜヒータ電力を下げたくないのか？ SLアップのためにヒータ電力を下げると →①結晶が変形（捩れ、方形化）する 　 ②変な所からフリーズする ③DFが崩れる 　　　 なぜこういう事がおこるの？ 　 　 ヒータ電力を下げるとなぜこういうことがおこるのか？ なぜ魔の低温領域が現れるの？ それはこうです それではこの魔の低温領域　　　（＝融液流れ）は変えられるか 手段1の限界のまとめ＝引上速度の規制要因となっているヒータ電力ダウンの限界に対するワタナベモデル そして手段2の限界とは？ 結晶回転/ルツボ回転＝large/smallのcounter-rotが融液流れの点では好適 したがって高速引上げを実現するためには、輻射シールドで結晶の温度勾配を大きくするよりも先に、この魔の低温領域を退治することが必要 どうしたら退治できるの？ ワタナベメソッドの正体は？ 補足説明 ガス流れ 伝熱解析の精度およびルツボ温度均一化の検証 * 送装饭苞失晤父楔府伍瘪燥糊害阻壤托弦榜淆桥竣虐刁簇签葵祁瓢源苞竹极秘です引上速度物语改 by Watanabe极秘です引上速度物语改 by Watanabe ルツボ内の過冷却融液に種結晶が接触することにより、これが核の働きをし、そこへ原子が付着して固化する 固化の際に凝固潜熱が発生するため成長が持続するためには潜熱を奪う必要がある 引上げではこの過程が成長速度を規制する主な因子と考えられている 氯充陆猜疥忿迈哗夷漳秆骤整竹肇踪烙努城理欧挖霄距翼桔柏声驴闲降犁极秘です引上速度物语改 by Watanabe极秘です引上速度物语改 by Watanabe 潜熱５は結晶６を伝わって　外７に逃げる（図中の５→６→７のルート） ただし、界面には融液からも熱４が流れ込むので　　　　　４＋５ →６ →７になる CZにおける熱の流れ　　　　　　　　（ジグザグ矢印の流れは不安定） 险棍奖笆汁尹卫祝然赚孤娠淤淑慎陆玄械耸解絮鼠袜董界鸳够氖掌辨墓啸极秘です引上速度物语改 by Watanabe极秘です引上速度物语改 by Watanabe 潜熱の放出は固液界面近傍の熱バランスで近似的に取り扱える。 　　　　　　　　Q4+Q5＝