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* 第七章 半导体器件 根据物体导电能力(电阻率)的不同，可分为导体、 绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 §7.1半导体二极管 一.本征半导体及其导电性 (1）本征半导体的共价键结构 本征半导体： 纯净且原子排列整齐的半导体 如硅（Si）锗（Ge）等 价电子： 在原子最外层轨道上的电子 硅和锗是四价元素， +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 共价键结构示意图 共价键： 价电子分别与周围的四个原子的价电子形成。 共价键中的价电子为这些 原子所共有并为它们 所束缚，在空 间形成排列有序的晶体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子——空穴对的形成（本征激发） 共价键中原来位置留下一个空位 形成电子——空穴对 （2）电子空穴对 当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高， 有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成 为自由电子,这一现象称为本征激发，也称热激发。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合 本征激发 → 电子空穴对 受热(光)挣脱共 价键束缚形成 自由电子 载流子的运动 + - +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子向上运动形成电子电流 电子与空穴统称载流子 空穴向下运动形成空穴电流 二. 掺杂半导体 1.N型半导体 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 +4 掺少量5价元素如磷等形成自由电子 掺杂半导体：掺入杂质的半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体 的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。 自由电子是多数载流子, 主要由杂质原子提供； 空穴是少数载流子, 由热激发形成 2. P型半导体 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 +4 掺少量3价元素如铝等形成空穴 空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 自由电子是少数载流子，由热激发形成。 三 PN结的形成 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ? 多子的扩散运动 ? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场 ? 促使少子漂移 阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区 称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 内电场方向 耗尽层 (空间电荷区) 空穴 自由电子 PN结 扩散运动：浓度差而产生载流子运动 扩散运动使界面二端P区留下不能移动的负离子而N区留下不能移动的正离子 形成内电场： 内电场的作用：阻碍多子扩动散运动，有利于少子漂移运动 扩动散运动与漂移运动达到平衡形成PN结 反偏：P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏 正偏：P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏 四 PN结的单向导电性 PN结 1.外加正电压： 内电场 耗尽层变窄形成较大正向电流 PN结导通且PN结电压较小 (硅0.7V,锗0.3V) 外电场 2 .外加反向电压 内电场 耗尽层变宽形成很小反向饱和电流 反向饱和电流由少数载流子形成 PN结截止 总结： PN结正偏导通 PN结反偏截止 外电场 五 半导体二极管的伏安特性曲线 正向特性 当0uUth 时，I =0 当uUth 时，I 较大 　Uth：死区电压 反向特性 当UBRｕ0 时，Ｉ很小 Ｉ：反向饱和电流 硅二极管：Uth=0.5 V左右 锗二极管：Uth=0.1 V左右 当ｕ≤ＵBR时，Ｉ急剧增加 ＵBR：反向击穿电压 。 1.伏安特性曲线 2. 二极管的主要参数 1.最大整流电流IOM：最大正向平均电流 2.最大反向工作电压URM ：反向击穿电压的一半 3.反向电流IR：反向饱和电流 §7.2 二极管整流电路 一. 单相整流电路 1.半波整流电路 二极管导通，忽略二极管正向压降， uo=u2 u1 u2 a T b D RL uo 为分析简单起见，把二极管当作理想元件处理，即二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为