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解：将两个二极管全部断开，求开路电压 例5：求输出电压U0 D1 D2 + + + 9V 3V 6V D1 D2 + + + 9V 3V 6V D1 D2 + + + 9V 3V 6V D1 D2 + + + 9V 3V 6V 例6：求F的电位VF ，二极管的正向电位降忽略 A 端电位比 B 端电位高，DA优先导通，则VF = 3V 当 DA 导通时， DB 上所加为反向电压，截止 § 1.4 稳 压 管 （1）反向击穿特性较陡 （2）允许工作在击穿区 阳极 阴极 + - U I/mA IZM IZ ΔIZ ΔUZ UZ 主要参数： 问题：利用稳压管和普通二极管的正向压降，是否可以稳压? 4、最大耗散功率 PZM = UZ IZM 1、稳定电压 UZ 3、最大稳定电流 IZM 2、稳定电流 IZ 5、动态电阻 U I/mA IZM IZ ΔIZ ΔUZ UZ IZ I IZM 折线化的伏安特性 1、正向接法 + I 含稳压二极管电路的分析 DZ + U - I 2、反向接法 + I DZ - U + I 例1：已知 UZ = 5V，U D = 0.6V，求U0 = ？ 限流电阻 ② UI = -10V ① UI = 10V ③ UI = 4V ① UI = 10V ② UI = －10V ③ UI = 4V 求 解： (a) (b) 注意：电路中必须加限流电阻 电阻R的选择范围： 例： DZ1稳压值 6V DZ2稳压值 10V 正向压降 0.7V R U U0 DZ1 DZ2 (a) R U U0 DZ1 DZ2 (b) R DZ RL UO UI IL IZ 一、基本结构 1、NPN型 § 1.5 半 导 体 三 极 管 2、PNP型 B C E T B C E T 集电区N 基区P 发射区N 基极 B C 集电极 E 发射极 集电结 发射结 集电区P 基区N 发射区P 基极 B C 集电极 E 发射极 集电结 发射结 基区很薄，且掺杂浓度低；发射区的掺杂浓度远高于集电区，集电极和发射极不能互换。 二、三极管的电流分配 共发射极接法 发射结加正向电压，集电结加反向电压 B C E RB EB EC IB IC IE RC EB：发射结正偏 EC：集电结反偏 （EC EB） 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.001 IE (mA) 3.95 3.10 2.30 1.5 0.7 0.001 IC (mA) 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 IB (mA) 共射极接法晶体管放大电路电流分配关系 B C E RB EB EC IB IC IE RC B C E RB EB RC EC N N P B区：扩散、复合 多子（电子）在外电场作用下扩散到基区 C区：收集（集电结反偏） E区：发射（发射结正偏） 自由电子向集电结方向扩散，扩散过程中一部分电子与基区的空穴复合 内电场增强，多子扩散被阻挡，从发射区扩散到基区并到达集电结边缘的自由电子大量漂移到集电区 B C E RB EB RC EC N N P 各极电流 IE = ICE + IBE IB = IBE - ICBO≈ IBE IC = ICE + ICBO ≈ ICE ICE：自由电子从发射区→集电区形成 IBE：自由电子从发射区→基区与空穴复合的电流 ICBO：集电结少子的漂移运动形成，很小 ICE IBE ICBO 双极型三极管：两种载流子参与导电 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.001 IE (mA) 3.95 3.10 2.30 1.5 0.7 0.001 IC (mA) 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 IB (mA) B C E RB EB EC IB IC IE RC * Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两位一体等 Note : 公司与实验室产品的交叉 强调两