AVR单片机EEPROM寄存器.docxVIP

ATmega88包含512字节的EEPROM数据存储器。它是作为一个独立的数据 EEPROM 的寿命至少为 100,000 次擦除周期。 EEPROM 的访问由地址寄存器，数据寄存器和控制寄存器决定。具体的 SPI 及并行下载 EEPROM 数据请参见 P254“存储器编程”。EEPROM 读/ 写访问EEPROM 读/ 写访问EEPROM 的访问寄存器位于I/O 空间。EEPROM的写访问时间由Table 3给出。自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写下一字节。用户操作EEPROM 需要注意如下问题：在电源滤波时间常数比较大的电路中，上电/ 下电时VCC 上升/ 下降速度会比较慢。此时CPU 可能工作于低于晶振所要求的电源电压。请参见 P20“ 防止EEPROM 数据丢失” 以避免出现EEPROM 数据丢失的问题。为了防止无意识的EEPROM 写操作，需要执行一个特定的写时序。具体参看EEPROM控制寄存器的内容。执行EEPROM 读操作时， CPU 会停止工作4 个周期，然后再执行后续指令；执行EEPROM 写操作时， CPU 会停止工作2 个周期，然后再执行后续指令。EEPROM 地址寄存器－ EEARH和EEARL· Bits 15..9 – Res: 保留保留位，读操作返回值为零。· Bits 8..0 – EEAR8..0: EEPROM 地址EEPROM 地址寄存器 – EEARH和EEARL指定了 512 字节的EEPROM。EEPROM 地址是线性的，从 0 到 511 。 EEAR 的初始值没有定义。 在访问EEPROM 之前必须为其赋予正确的数据。EEAR8 在 ATmega48 中为无效位，必须始终将其赋值为 ”0”。EEPROM 数据寄存器 － EEDR· Bits 7..0 – EEDR7.0: EEPROM 数据对于EEPROM 写操作， EEDR 是需要写到EEAR 单元的数据；对于读操作， EEDR 是从地址EEAR 读取的数据。EEPROM 控制寄存器－ EECR· Bits 7..4 – Res: 保留保留位，读操作返回值为零。· Bit 5, 4 – EEPM1 与 EEPM0: EEPROM 编程模式位EEPROM编程模式位的设置决定对EEPE写入后将触发什么编程方式。EEPROM的编程可以作为一个原子操作来实现擦除老的数据并写入新的数据，也可以将擦除与写操作 分为两步进行。不同编程模式的时序请见 Table2。 EEPE 置位时，对 EEPMn 的任何写操作都将会被忽略。在复位过程中，除非 EEPROM 处于编程状态，EEPMn 位将被设置 为 0b00。· Bit 3 – EERIE: 使能 EEPROM 准备好中断若 SREG 的 I 为 1，则置位 EERIE 使能 EEPROM 准备好中断。清零 EERIE 则禁止此中断。当 EEPE 清零时 EEPROM准备好中断即可发生。· Bit 2 – EEMPE: EEPROM 写使能EEMPE决定设置EEPE为1“是否可以启动EEPROM写操作。当EEMPE为1“时，在4个时钟周期内置位 EEPE 将把数据写入 EEPROM 的指定地址；若 EEMPE 为 0“，则EEPE不起作用。EEMPE置位后4个周期，硬件对其清零。见EEPROM写过程对EEPE位的描述。· Bit 1 – EEPE: EEPROM 写使能写使能信号 EEPE 是 EEPROM 的写入选通信号。当 EEPROM 数据和地址设置好之后，需置位 EEPE 以便将数据写入 EEPROM。此时 EEMPE 必须置位，否则 EEPROM 写操作将不会发生。写时序如下 ( 第 3 和第 4 步的次序可更改 )：1. 等待EEPE 位变为零2. 等待SPMCSR 中的SPMEN 位变为零3. 将新的EEPROM 地址写入EEAR ( 可选)4. 将新的EEPROM 数据写入EEDR ( 可选)5. 对EECR 寄存器的EEMPE 写1，同时清零EEPE6. 在置位EEMPE 的4 个周期内，置位EEPE在 CPU 写 Flash 存储器的时候不能对 EEPROM 进行编程。 在启动 EEPROM写操作之前软件必须要检查Flash写操作是否已经完成。第二步仅在软件包含引导程序，允许CPU对 Flash 进行编程时才有用。如果 CPU 永远都不会写 Flash，则第二步可以忽略。请参考 P240“Boot Loader 支持 RWW 自编程， ATmega88 与 ATmega168”。（注意：ATmega48 无Boot Loader）注意 : 如有中断发生于步骤 5 和 6 之间将导致写操作失败。 因为此时 EEPROM 写使能操作将超时。如果一个操作EEPROM的中