第1章半导体器件(免费阅读).pptVIP

理想二极管 正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计； 反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。 * * * * * * 1.1 PN结 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 三极管 第1章 半导体器件 1.1 PN结 半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。 1.1.1 半导体的导电特征 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素。 室温下，少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 本征半导体中有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。在一定温度下,自由电子和空穴维持一定的浓度。 2．空穴的运动 3.在纯净半导体中掺入某些微量杂质，其导电能力将大大增强 在纯净半导体硅或锗中掺入5价元素。 这类元素在构成的共价键结构中，存在多余的价电子，从而产生大量自由电子。这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子。 （1） N型半导体 自由电子 多数载流子（简称多子） 空 穴 少数载流子（简称少子） （2） P型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入3价元素。 这类元素在构成的共价键结构中，缺少价电子，从而形成大量空穴。这类半导体主要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子。 自由电子 多数载流子（简称多子） 空 穴 少数载流子（简称少子） 无论P型半导体还是N型半导体，都是中性的，对外不显电性。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。 1．PN结的形成 1.1.2 PN结及其单向导电性 半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 多子扩散 形成空间电荷区产生内电场 少子漂移 促使 阻止 扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结 ①外加正向电压（也叫正向偏置） 内电场被削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时PN结处于导通状态。 2．PN结的单向导电性 ②外加反向电压（也叫反向偏置） 内电场增强，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时PN结处于截止状态。 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。点接触型二极管多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件；面接触型二极管多用在低频整流电路中。 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构 （1）正向特性 外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场的阻力，PN结仍处于截止状态 。 正向电压大于死区电压后，正向电流 随着正向电压的增大迅速上升。 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 外加反向电压时， PN结处于截止状态，反向电流 很小。 （2）反向特性 通常，死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。 反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧增加。 （1）最大整流电流IOM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。 （3）最大反向工作电压UDRM：二极管运行时允许承受的最大反向电压（约为UB 的一半）。 （4）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 （5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。 1.2.3 二极管的主要参数 稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ：反向击穿后稳定工作的电压 （2）稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 稳压管是一种用特殊