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第2章6节 存储器和I/O空间 TMSLF240x DSP具有16位地址线，可访问分别访问这三个独立的地址空间，每个空间的容量均为64K字： （1）程序存储器空间－64K字； （2）数据存储器空间－64K字； （3）I/O空间－64K字。 注意:LF240x DSP的所有片内外设的寄存器均映射在数据存储器空间。 “LF” -片内有Flash存储器； “LC” -片内有CMOS工艺的程序存储器， LF2407/ LF2407A片内: 2K字的单访问RAM（SARAM） 544字的双访问RAM-DARAM（B0块-256字；B1块-256字；B2块-32字） 6.1 片内存储器 双访问RAM (DARAM) 一个机器周期内可被访问2次:主相写数据到DARAM；而从相从DARAM读出数据。从而大大提高运行速度。 544字DARAM分为三块：B0、B1和B2 该存储器空间主要用来保存数据，但是B0块也可以用来保存程序。B0块配置成数据存储器空间还是程序存储器空间，要由状态寄存器ST1的CNF位来决定： （1）CNF=1，B0映射到程序存储器空间； （2）CNF=0，B0映射到数据存储器空间。 6.1 单访问RAM (SARAM) 片内有2K字的单访问RAM（SARAM）,在一个机器周期 内只能被访问1次。 例如，如果要将累加器的值保存，且装载一个新值到累加器，在SARAM中，完成这个任务需要两个时钟周期，而在DARAM中只需要一个时钟周期。 利用软件可将SARAM配置成外部存储器或内部SARAM。 Flash程序存储器 片内的Flash存储器映射到程序存储器空间。 MP/MC*引脚决定是访问片内的程序存储器（Flash）还是访问片外的程序存储器。 列，也可以访问控制寄存器，但不能同时访问。模块有一个Flash控制方式寄存器来选择两种访问模式。该寄存器映射在内部I/O空间的FF0Fh，这是一个不能读的特殊功能寄存器，它可在Flash的存储器阵列方式下使能Flash，用来对Flash阵列编程。该寄存器的功能如下： 使用OUT指令，可以将Flash模块置于寄存器访问 模式，被使用的存储器数据操作数是无意义的。例： OUT dummy, 0FF0Fh ；选择寄存器访问方式 使用IN指令，可将Flash模块置于存储器阵列访问 模式，被使用的数据操作数是无意义的。例如： IN dummy, 0FF0Fh ；选择存储器阵列访问方式 6.1 程序存储器 程序存储器空间寻址范围为64K，包括了片内DARAM和片内Flash。图5-1所示为LF2407A的程序存储器空间的映射。 有两个因素决定程序存储器的配置： （1）CNF位。CNF位是状态寄存器ST1的第12位，决定DARAM中的B0块配置在数据存储器空间，还是配置在程序存储器空间。 0:256字的B0块被映射到数据存储器空间。 1:256字的B0块被映射到程序存储器空间。 复位时，CNF＝0， B0块被映射到数据存储器空间。 （2）MP/MC*引脚。该引脚决定是从片内Flash读取指令。还是从外部程序存储器读取指令。 0:微控制器方式。 此时访问的是片内程序存储器（片内Flash）0000h-7FFFh空间。 1:微处理器方式。 此时访问的是片外程序存储器的0000h-7FFFh空间。 无论MP/MC*引脚为何值，LF240xDSP都是从程序存储器空间的0000h单元开始执行程序。 6.2 数据存储器 寻址范围高达64K字： 前32K字（0000h-7FFFh）是内部数据存储器空间,包括了DARAM和片内外设的映射寄存器。 后32K字（8000h-FFFFh）空间的存储器为外部数据存储器。 1.数据存储器映射 片内有3个DARAM块：B0、B1和B2块。 B0块:即可为数据存储器，也可配置为程序存储器。 B1、B2块:只能配置为数据存储器。 图5-2为数据存储器空间的映射。 两种寻址方式：直接寻址和间接寻址。 直接寻址时，128字为一页的数据块来对数据存储器进行寻址。图5-3显示了这些块是如何被寻址的。 全部64K的数据存储器分为512个数据页，其标号从0－511。当前页由状态寄存器ST0中的9位数据页指针（DP）值来确定。 因此，当使用直接寻址指令时，用户必须事先指定数据页，并在访问数据存储器的指令中指定偏移量，偏移量为7位。 编程时要注意，访问下面的数据存储器的地址空间是非法的，并会对NMI置位。除了以下地址，任何对外设寄存器映射中的保留地址的访问也是非法的。 0080h-00FFh 701Fh-71FFh (CAN内部的) 0500h-07FFh 7230h-73FFh (