第二章LED封装.ppt

§2.5 大功率LED封装 3、热沉与散热片绝缘 这种封装方式上下两面输入电流，如果与热沉相连的一极是与热沉直接导电的，则热沉也成为一个电极。 使用这种LED要测试热沉是否与其接触的一极是零电阻，若为零则是连通的。 因此连接热沉与散热片时要注意绝缘，而且要使用导热胶把热沉与散热片粘连好。 §2.5 大功率LED封装 二、L型电极的大功率LED芯片的封装 两个电极的p极和n极都在同一面 §2.5 大功率LED封装 1、L型电极的大功率LED芯片的封装 对L型电极的大功率LED芯片的衬底通常是绝缘体（如蓝宝石）。 而且在绝缘体的底层外壳上一般镀有一层光反射层，可以使射到衬底的光反射回来，从而让光线从正面射出，以提高光效。 §2.5 大功率LED封装 2、封装注意事项 （1） 这种封装应在绝缘体的下表面用一种导热（绝缘）胶把LED芯片与热沉粘合，上面把两个电极用金丝焊出。 (2)在封装L型电极大功率LED芯片时，由于点亮时发热量比较大，可以在LED芯片上涂一层硅凝胶，而不可用环氧树脂，这样： §2.5 大功率LED封装 一方面可防止金丝热膨胀冷缩与环氧树脂不一致而被拉断；另一方面防止因温度高而使环氧树脂变黄变污，结果透光性能不好。 所以在制作L型电极大功率LED时应用硅凝胶调和荧光粉。 §2.5 大功率LED封装 三、L型电极的大功率LED芯片倒装封装 1、理论基础 光线由一种介质进入另一种介质时，入射光一部分被折射，另一部分被反射。 若光线由光密介质（折射率n1）射向光疏介质（折射率n2），当入射角（i1） 大于全反射临界角（ic）时，折射光线消失，光线全部被反射。 §2.5 大功率LED封装 2、传统正装的LED芯片 GaN类正装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：有源层（n=2.4）→环氧树脂（n=1.5）→空气（n=1）。 （1）由于P型GaN掺杂困难，普遍采用在p型GaN上制备透明电极的方法，从而使电流扩散已达到均匀发光的目的，但是金属透明电极吸收30%-40%的光，因此电流扩散层厚度应减少到几百纳米。厚度减薄又反过来限制了电流扩散层在p型GaN表面实现均匀和可靠地电流扩散。因此这种P型接触结构制约了LED芯片的工作电流。 （2）蓝宝石的导热系数差，导热路径比较长。这种LED芯片的热阻较大，而且这种结构的电极和引线也会挡住部分光线出光。 §2.5 大功率LED封装 3、倒装的LED芯片 §2.5 大功率LED封装 （1）首先制备具有适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备相应尺寸的硅底板，并在其上制作共晶焊接电极的金导电层和引出导电层（超声波金丝球焊点）。 （2）然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊在一起。 硅底板倒装法 做好倒装芯片的基础上，应考虑： （1）由于LED是W级芯片，那么应该采用多大直径的金丝才合适？ （2）怎样把倒装好的芯片固定在热沉上，用导热胶还是共晶焊接？ （3）考虑在热沉上制作一个聚光杯，把芯片发出的光能聚集成光束。 §2.5 大功率LED封装 四、集成LED芯片封装 §2.5 大功率LED封装 1、集成LED芯片封装 使用单层或双层铝基板作为热沉，把单个芯片或多个芯片用固晶胶直接固定在铝基板（或同基板）上，LED芯片的p和n两个电极则键合在铝基板表层的薄铜板上。 根据所需功率的大小确定底座上排列LED芯片的数目，可组合封装成1W、2W、3W等高亮度的大功率LED。 （1）对LED芯片进行严格的挑选。 （2）排列芯片时，LED芯片之间有一定的间隔。 （3）固晶时，LED芯片保持高度一致。 （4）焊线时，尽量保持每根金丝相隔一定的距离。 （5）保持固晶下面的热沉面光洁。 （6）铝基板挖槽的大小和深度取决于芯片的多少和出光角度的大小来确定。 2、封装注意事项 五、大功率LED封装的注意事项 1、热沉材料的选择 铜和铝都是最好的热沉材料，但是铜和铝含有不少的合金，各种合金的导热系数相差较大，故在选择铜和铝作为热沉时，要看具体的合金成分，才有利于确定最终的热沉材料。 其他材料：银、陶瓷、碳化硅均可 2、散热 把热沉上的热量传导到其他的散热器上（一般选用铜或铝材料），并在两者之间应有一层导热胶 六、大功率LED手工封装工艺 1、芯片测试； 2、支架选择；（支架选择标准） 3