第4章光源与光发送机.ppt

光通信原理与技术 第4章 光源与光发送机 本章内容 物质与光之间的互作用 半导体发光二极管 半导体激光器 光放大器 光发送机的基本组成及指标 4.1 物质与光之间的互作用 光的波粒二象性 光具有波粒二象性 光波，光子 描述光波的特征参量： 频率υ和波矢量k 描述光子的特征参量： 能量E和动量P 之间的关系 原子的能级 原子的能量状态是量子化的，这些分离的能量状态称为能级 最低的能量状态称为基态或基能级，其他的较高的能量状态都称为激发态或高能级 处于高能级原子有向高能级跃迁的趋势，处于低能级的原子有吸收能量向高能级跃迁的可能 费米-狄拉克分布 在热平衡状态下，某个能级被电子占据的几率服从费米-狄拉克分布，即电子占据能量为 E 的能级的几率为 其中，T 为绝对温度，k为玻尔兹曼常数，Ef为材料的费米能级，是一个参考能级 对于 EEf 的能级，被电子占据的可能性小于1/2，而对于 EEf 的能级，被电子占据的可能性大于1/2。 原子中电子的跃迁 原子中的电子存在着三种跃迁过程，对应着三种光与物质的互作用过程 受激吸收 自发辐射 受激辐射 跃迁几率 受激吸收几率 自发发射几率 受激发射几率 发光与光的放大 在热平衡状态下，低能级粒子占绝对多数，此时光子的受激吸收是占绝对优势的 非热平衡状态下，可能出现高能级粒子数占多数的情况，称之为粒子数反转 粒子数反转的情况下，物质的自发辐射和受激辐射占一定优势，物质表现出发光特性 光放大 受激发射的特点：产生的新光子与原光子严格同频、同相、同极化 如果外部有合适频率的光信号进入粒子数反转区，则在受激辐射的作用下，该光信号被放大、光子数倍增，原有光波特点保留 4.2 半导体发光二极管（LED） 4.2.1 半导体发光机理 纯净半导体晶体的能带 半导体晶体的晶格结构使分立的能级形成具有一定宽度的能带 在共价晶体中，最外层的电子和相邻的原子形成共价键 通常把价电子所占据的能带称为价带 价带以上的能带（被自由电子占据）称为导带 价带顶和导带底之间的能量差为 Eg，称为禁带宽度或带隙宽度 在较低温度下，本征半导体的费米能级处于禁带的中间位置 Eg 较大时，导带被电子占据的可能性远小于1/2，而价带被占据的可能性远大于1/2 半导体的掺杂 纯净半导体几乎是绝缘体 掺杂可使其特性发生变化 当掺入受主杂质时（外层电子数少于4个），P型半导体 当掺入施主杂质时（外层电子数多于4个），N型半导体 PN结的形成 P型半导体与N型半导体接触时，在边界面上，由于载流子浓度不同，出现扩散 P区空穴向N区扩散并与该区电子复合 N区电子向P区扩散并与该区空穴复合 载流子扩散后，打破了原先的电平衡，在P区和N区的界面附近形成自建场，方向从N区指向P区 载流子在自建场作用下发生漂移，方向与扩散运动相反 载流子的扩散运动和漂移运动终将取得平衡，此时PN结形成 PN结的特点 自建场的方向由 N 区指向 P 区 空间电荷区几乎没有载流子存在，又称为耗尽区 PN 结具有单向导电性 当在 N 区加正电压 P 区接地时，外加电场与自建场方向一致，加强了自建场，在漂移作用下，耗尽区变宽，PN 结电阻愈大，几乎不导电 当在 P 区加正电压 N 区接地时，外加电场与自建场方向相反，抵消了自建场，当消弱后的自建场不再能阻止载流子发生扩散运动时，PN 结开始导电 有源区的形成 4.2.2 LED的结构 直接带隙和间接带隙 直接带隙半导体的导带底和价带顶在E-k空间中是对齐的，电子-空穴复合时，电子的动量不变，直接产生辐射复合 间接带隙半导体的导带底和价带顶在E-k空间中是错位的，为了保持动量守恒，电子-空穴复合时，必须有一个声子参与，因此发光概率非常低 硅是间接带隙半导体，所以难以用于制作发光器件 常用的直接带隙半导体材料包括GaAs、GaInP、AlGaAs、InGaAs和GaAsP等 同质结的效率问题 同质结指制作P区和N区均使用同一种半导体掺杂制成 同质PN结发光效率比较低 电子-空穴分布范围大，浓度低，辐射跃迁几率也低 PN结与P区和N区的相对折射率差小，光子方向杂散，不能有效输出 改进办法：使用异质PN结 使用异质结提高发光效率 异质结结构指在有源区的两边加上相异的宽带隙的半导体材料 异质结结构，特别是双异质结结构，对载流子和光子都形成约束，大大提高了发光效率 面发射和边发射 按发光面可以将LED分为两种类型 面发射二极管 发射方向垂直于p-n结区 优点：便于与圆形的光纤端面耦合 边发射二极管 从p-n结型有源区的端面发射 优点：功率较大，方向性较好 4.2.3 发光二极管的工作特性 LED的P-I特性 输出光功率基本上与注入电流成正比 频谱特性 LED没有谐振腔，其光谱就是半导体材料的自发辐射谱 LED的发射谱