第3讲半导体二极管(免费阅读).pptVIP

第二节 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 三、二极管的等效电路 1. 将伏安特性折线化 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 讨论一  判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。 讨论二 讨论二 * 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 点接触型： 结面积小，结电容小 故结允许的电流小 最高工作频率高 面接触型： 结面积大，结电容大 故结允许的电流大 最高工作频率低 平面型： 结面积可小、可大 小的工作频率高 大的结允许的电流大 半导体二极管的结构组成 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 温度的 电压当量 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 理想 二极管 近似分析中最常用 理想开关 导通时 UD＝0截止时IS＝0 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 导通时i与u成线性关系 应根据不同情况选择不同的等效电路！ Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 2. 微变等效电路 结电容为扩散电容（Cd）与势垒电容（Cb）之和。 扩散路程中电荷的积累与释放 空间电荷区宽窄的变化有电荷的积累与释放 半导体二极管图片 附 录 半导体二极管图片 附 录 半导体二极管图片 附 录 特殊二极管 稳压二极管 变容二极管 光电子器件 1. 光电二极管 2. 发光二极管 3. 激光二极管 稳压二极管 1. 符号及稳压特性 (a)符号 (b) 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 (1) 稳定电压VZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin 2. 稳压二极管主要参数 稳压二极管 （3）最大功耗PZM＝ IZMAX UZ （4）动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 稳压二极管 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax # 不加R可以吗？ # 上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ ， VO的波形是怎样的？ {end} 特殊类型的二极管 ? 变容二极管 利用结势垒电容CT随外电压U的变化而变化的特点制成的二极管。 符号： 注意：使用时，应加反向电压 光 电 二 极 管 ? 定义： 有光照射时，将有电流产生的二极管 ? 类型： PIN型、 PN型、 雪崩型 ? 结构： 和普通的二极管基本相同 ? 工作原理： 利用光电导效应工作，PN结工作在反偏态，当光照射在PN结上时，束缚电子获得光能变成自由电子，形成光生电子—空穴对，在外电场的作用下形成光生电流 D ED D RL UD IP 注意：应在反压状态工作 UD= -IPRL 发 光 二 极 管 ? 定义： 将电能转换成光能的特殊半导体器件，当管子加正向电压时，在正向电流激发下，管子发光，属电致发光 ? 常用驱动电路： 直流驱动电路 交流驱动电路 注：在交流驱动电路中，为了避免发光二极管发生反向击穿，通常要加入串联或并联的保护二极管 发光二极管只有在加正向电压时才发光 判断二极管工作状态的方法？ 1. V＝2V、5V、