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Cadence软件 主要内容 Cadence软件简介 建立新库和新文件 电路图编辑窗 电路图的输入及编辑 电路图的层次化设计 Cadence软件简介 UNIX系统(工作站)进入方法 ① 开机=>显示:Please enter your name,输入用户名=>按<Enter>键=>显示:Please enter your password,输入密码=>按<Enter>键。 ② 按鼠标右键,选Tools →Terminal,进入Terminal窗。 ③ 在提示符后,输入icfb =>按<Enter>键=>出现CIW(Command Interpreter Window)。 在CIW窗口中点击“Tools”,选择“library manager”打开库文件管理器。并从中单击选择所需的library—cell—view,双击“schematic”打开目标电路图。 在schematic editing 窗口浏览分析电路。常用指令及其快捷键 绘制版图 新建文件库: 在库文件管理器菜单中依次点击file—new— Library,出现新建库窗口。 绘制版图 新建版图文件: 在库文件管理器菜单中依次点击file—new—cell view,出现新建文件窗口。 输入文件名, 点击“tool”右侧的工具选择按钮,选择“virtuoso”,点击OK,完成新文件创建。 版图编辑界面 layout editing : 版图编辑窗口中,顶端显示文件所对应的库名、单元名、文件类型信息。 版图编辑窗口由icon menu(图标菜单)、menu banner(菜单栏)、status banner(状态栏)三部分组成。 menu banner(菜单栏)位于版图编辑窗口上方,包含编辑版图所需要的所有指令,并按相应的类别分组。常用指令及对应快捷键 LSW: layer select window(图层选择窗口)。该窗口显示设计版图所用的工艺库文件的位置、可供选择和当前选中的版图图层,以及各图层的属性。 右图显示当前所用工艺库文件位于“MYLIB”目录下,当前选择的图层为“active”。 工艺库文件在工程创建之初已经确定,不用再做操作。而可供选择的图层,根据不同设计需求会有所不同。常用图层名称及其含义 反相器版图实例 在P型衬底上制作CMOS反相器,需要一个PMOS管和一个NMOS管。其中PMOS管制作在N阱中,包含有源扩散区、多晶硅栅;NMOS管包含有源扩散区、多晶硅栅。 工艺上为了区分P管、N管,分别添加pselect和nselect两层。 衬底连接与布线: MOS管衬底必须接到相应电位,有源区作为源漏极也需要引线连接。半导体衬底材料必须先制作active有源区,才能通过通孔与金属引线连接。 根据不同工艺,通孔尺寸和间距不同。 器件连接关系及端口 : 用铝线直接连接两管漏极,并可作为输出端; 多晶硅连接两管栅极,制作通孔后连接金属,作为输入端; 与金属相连的两管衬底作为power端。 添加端口: 从LSW 中选择metal1(pin)。在版图编辑窗口中的菜单栏,选择create—pin。开始为版图添加端口。 在“mode”选项后选择rectangle模式,在create shape pin 窗口编辑输入输出端口。 编辑好端口属性后,在版图编辑窗口中需要添加端口的位置画一小矩形,之后再单击一次,即完成一个端口。 这里的metal1(pin)端口图层仅表示连线关系,不生成掩模板,无所谓规则,只要与实际版图上的铝线连接即可。 添加power端口需要选择sym pin 模式,打开create symbolic pin 窗口。以添加vdd端口为例,端口名应为“vdd!”,I/O type 选为“jumper”,pin type 选择“metal1”。 版图验证与检查 版图的验证有两种模式 DIVA 和 DRACULA,前者操作相对简单,后者工作效率较高。 两者操作不同,所使用的规则文件也不同 概述 版图验证是指采用专门的软件工具,对版图进行几个项目的验证,例如是否符合设计规则?版图和电路图是否一致?版图是否存在短路、断路及悬空的节点?借助于计算机和Cadence软件的功能,对版图设计进行高效而全面的验证。经过版图验证后,一次流片成功率大大提高。 版图验证的项目 版图验证项目包括五项: (1) DRC (Design Rule Check) 设计规则检查。 (2) ERC(Electrical Rule Check) 电学规则检查。 (3) LVS(Layout Versus Schemati) 版图和电路图一致性比较 (4) LPE(Layout Parameter Extruction) 版图寄生参数提取 (5)
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