第4章1集成光波导(免费阅读).ppt

表－各种模式类型 （2） （3） 上式即为平面光波导的特征方程，它决定于波导参数(n1、n2、n3及d)、自由空间工作波长λ0及入射角θ1。对于给定的m值，可求出相应的θ1值，代表一个特定的导波模式。 在式(3)中，h=k0n1cosθ1是波导中波矢量在x方向的分量，是波导中的横向相位常数，因此式(3)可表示为 （4） （4） 对于TM波，上下两个反射面发生两次相位突变2?1、2?2，相位突变分别满足： 对于偶TE模式（在横平面内具有偶对称性），方程(4.10)的解为 §4.2 对称平板波导中的模式 ——4.2.3 TE模式图 Λ是自由空间波长。用(hd/2)-(π/2)代替hd/2，可以得到奇模式解。 在已知中心薄膜厚度的条件下，直接由式（4.11）计算出相应的入射角θ比较困难。而选择不同的入射角（在θc与90度之间），求解其对应的中心薄膜厚度要简单些。 可以用曲线来说明中心薄膜厚度与传输角度之间的关系。 §4.2 对称平板波导中的模式 ——4.2.3 TE模式图 解（4.11）方程举例：对称平板波导中，以AlGaAs双异质结型半导体激光器为例，画出neff与d/λ的关系曲线。 §4.2 对称平板波导中的模式 ——4.2.3TE模式图 Consider an AlGaAs Laser Diode For the TE0 mode the calculations yield the table: (1) (2) (3) (4) (5) (6) q n eff tan(hd/2) hd 2 p n 1 cosq d/l 80.4 3.550 0 0 3.757 0 82 3.565 0.651 1.155 3.148 0.367 84 3.580 1.261 1.780 2.364 0.753 86 3.591 2.161 2.275 1.578 1.442 88 3.598 4.653 2.718 0.789 3.445 90 3.600 3.142 0 §4.2 对称平板波导中的模式 ——4.2.3 TE模式图 For the table on the previous slide, the values were calculated as follows: (1) The chosen angle ? (2) neff = n1sin? = 3.6 sin? (3) (4) 2tan-1(3), in radians (5) 2?n1cos? (6) The plotted result is the mode chart: TE0 TE1 TE2 TE3 TE4 TE5 d/l neff q §4.2 对称平板波导中的模式 ——4.2.3TE模式图 §4.2 对称平板波导中的模式 ——4.2.3 TE模式图 图4.5 对称平板波导的模式图(n1=3.6,n2=3.55) 由模式图可以得到关于TE0模的结论： 当中心薄膜非常薄(d/λ1)时，光线以接近临界角的角度传输，因此等效折射率neff=n2。对于薄的中心薄膜，因为接近临界角，消逝波在外层穿透很深，消逝速度很慢。 当中心薄膜很厚(d/λ1)时，neff=n1。消逝波在外层中衰减很快，消逝波以远大于临界角的角度传播。 4.2.4 高阶模 式(4.11)有多个解，对于某个给定的传输角，有一系列满足要求的中心薄膜厚度。对于对称平板波导，有 从式(4.11)求得的最小归一化厚度(d/λ)0，其他的解（包括奇阶模与偶阶模）则可以表示为 This applies for even mode patterns given by: *关于奇阶模与偶阶模： *关于奇阶模与偶阶模： In this case, the resonance condition is: For odd mode patterns, the electric field can be written as: For the TE1 mode, we then have The mode chart for the TE1 mode can be plotted from this result. M是一个正整数，对应波导中的一个模式。两个相邻的模式归一化厚度差为 Higher Order Modes The next mode is the TE2 mode. It is an even mode. (d/l)2 is found from (4.11a) by taking the second lowest solution as illustrated on the following plot of the tangent function. Higher O