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1.3 电介质的损耗 一、基本概念 在电场作用下电介质中总有一定的能量损耗,包括由电导损耗和有损极化(偶极子、夹层极化)损耗,总称介质损耗。 直流下:电介质中没有周期性的极化过程,只要外加电压 还没有达到引起局部放电的数值,介质中的损耗将仅由电 导组成,所以可用体积电导率和表面电导率说明问题,不 必再引入介质损耗这个概念。 交变电场:电介质能量损耗包括电导损耗(通过电介质的贯穿性泄漏电流所引起)和极化损耗(交流电压下由周期性极化所引起)。 二、介质损耗分析 交流时流过电介质的电流: 介质损耗(有功损耗): 由上式可见,介质功率损耗P与试验电压、被试品尺寸等因素有关,不同试品间难以互相比较;而对于结构一定的被试品,在外施电压一定时,介质损耗只取决于tan δ。 tan δ被称为介质损耗角正切,它只与介质本身特性有关,与材料尺寸无关,因而不同试品的tan δ可相互比较。 对同类试品绝缘的优劣可用tan δ来代替P对绝缘进行判断。 实际上,电导损耗和极化损耗都同时存在。 介质等值电路可用三个并联支路表示: C0:反映电子式和离子式极化;Ca、ra:反映吸收电流,表示有损极化;Rg:反映电导损耗,该支路流过的电流为泄漏电流。 有损介质的等值电路分析可用并联等效电路或串联等效电路 tanδ的物理含义:表征单位体积均匀介质内能量损失的大小 三、影响介质损耗的因素 温度、频率、电压 1、气体的介质损耗 U<U0时仅有很小的电导损耗,且与U无关; U>U0,有游离、局放、电晕损耗等, U↑→ tan δ↑↑ 2、液体的介质损耗 与电压的关系: U<U0时,仅有很小的电导损耗; U >U0后,液体分子发生游离,电导迅速增大; (1) 中性或弱极性液体介质 与温度的关系:随温度上升按指数规律增大。 损耗主要由电导引起 (2) 极性液体介质 电导和极化损耗 随电压变化的关系与中性或弱极性相同; 与温度的关系: ToC<T1oC:电导和极化损耗较小,↑ToC →电导损耗↑ 粘度下降极化↑→极化损耗↑→ tan δ↑ T1oC <ToC<T2oC: 分子热运动加快妨碍偶极子转向→ 极化损耗↓↓电导损耗↑→ tan δ↓ ToC>T2oC:电导损耗↑↑ 极化损耗↓→ tan δ↑ 与频率的关系: 较低f:↑f→极化↑→tanδ↑ 较高f:↑f→偶极子转向困难→tanδ↓ 3、固体的介质损耗 (1) 无机绝缘材料:云母、陶瓷、玻璃 云母:由电导引起损耗,介质损耗小,耐高温性能好,是 理想的电机绝缘材料,但机械性能差; 电工陶瓷:既有电导损耗,又有极化损耗;20oC和50Hz时=2%~5%; 玻璃:电导损耗+极化损耗,损耗与玻璃成分tan δ有关。 (2) 有机绝缘材料:分为非极性和极性 非极性有机电介质:只有电子式极化,损耗取决于电导; 极性有机电介质:极化损耗使总损耗较大。 第二章 气体电介质的击穿特性 2.1 带电质点的产生和消失 带电质点: 正离子、负离子、电子 一、带电质点的产生 原因:各种游离(电离) 作用:促进放电发展 气体原子的 激发和游离 带电粒子的运动 当气体中存在电场时,粒子同时进行热运动和沿电场定向运动。 游离(电离):外界以某种方式给处于某一能级轨道上的电子施加一定的能量,该电子就可能摆脱原子核的束缚成为自由电子。 激发:电子向高一能级轨道的跃迁。 游离能 :产生游离需要的能量。 自由行程:一个质点在每两次碰 撞间自由地通过的距离。 平均自由行程:众多质点自由行程的平均值。 1、碰撞游离 电子或离子与气体分子碰撞,将电场能传递给气体分子 引起游离的过程。 碰撞游离条件:当电子从电场获得的动能大于或等于气体分子的游离能时,就可能使气体分子分裂为电子或正离子 碰撞游离主要由电子和气体分子碰撞所引起。 气体中,电子和离子的自由行程是它们和气体分子发生碰 撞的行程。由于电子尺寸和质量比分子小得多,不易发生 碰撞,故电子的平均自由行程比离子的大得多,在电场作 用下加速运动易积聚足够的动能。 Wi为气体分子的游离能 2、光游离 由光辐射引起气体分子游离的过程 光游离产生的电子称为光电子 来源: x射线、γ射线、宇宙射线、紫外线等 异号带电质点复合成中性质点释放出光子 条件: 激励态分子回复到正常态释放出光子 3、热游离 本质:气体分子热状态引起的碰撞游离和光游离的综合。 常温下,气体分子发生热游离概率极小。 当t10000K时,才需考虑热游离; 当t20000K时,几乎全部的分子都处于热游离状态 以上三种游离发生在气体空间中,故也称为空间游离 4、气体中金属表面游离 含义: 形式: 金属阴极表面发射电子的过程。 气体中的主要游离形式为碰撞游离 正离子碰撞阴极表面;
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